1.一种用于颅脑深度聚焦刺激的时域干涉特征刺激阵列，其特征在于，包括有用于布置在人体头部周围的且具有相同几何参数的多组差频刺激对，其中，所述差频刺激对包含有以人体头部中心轴为对称轴进行对称布置的且具有相同几何参数的第一多参数型特征线圈和第二多参数型特征线圈；

所述第一多参数型特征线圈和所述第二多参数型特征线圈均采用多层多匝线圈结构，其中，所述多层多匝线圈结构包括有多层平行的且具有相同几何参数的平面绕制型多匝线圈，所述平面绕制型多匝线圈是指在平面内绕线而得的多匝线圈，所述平面绕制型多匝线圈的线圈内侧一端和线圈外侧一端分别互为脉冲电流引入端和脉冲电流引出端；

所述平面绕制型多匝线圈的每匝线圈均由四分之一椭圆段和缺斜边的直角梯形段组成，其中，所述平面绕制型多匝线圈的最外侧一匝线圈的四分之一椭圆段用于在布置于人体头部周围时与人体头部相切；

在所述时域干涉特征刺激阵列工作时，向所述第一多参数型特征线圈输入第一脉冲电流，以及向所述第二多参数型特征线圈输入第二脉冲电流，其中，所述第一脉冲电流的流动方向与所述第二脉冲电流的流动方向以所述人体头部中心轴为对称轴呈对称设置，所述第一脉冲电流的幅值与所述第二脉冲电流的幅值相同，所述第一脉冲电流的频率与所述第二脉冲电流的频率不同；

所述多层多匝线圈结构的多个几何特征参数包含有层数、层间距、匝数、匝间距、所述最外侧一匝线圈的四分之一椭圆段的半短轴长度和半长轴长度以及所述最外侧一匝线圈的直角梯形段的高度和短底宽度；

所述最外侧一匝线圈的直角梯形段的高度等于所述最外侧一匝线圈的四分之一椭圆段的半长轴长度，所述最外侧一匝线圈的直角梯形段的短底宽度等于 ，其中，表示所述匝数， 表示所述匝间距；

在所述最外侧一匝线圈的四分之一椭圆段布置于人体头部周围时，切点射线与中心轴垂面的夹角大于等于43度且小于等于51度，其中，所述切点射线是指以所述最外侧一匝线圈的四分之一椭圆段与人体头部的切点为起点的且经过人体头部中心点的射线，所述中心轴垂面是指垂直于所述人体头部中心轴的且经过所述人体头部中心点的平面。

2.如权利要求1所述的时域干涉特征刺激阵列，其特征在于，所述多组差频刺激对包括有用于布置在人体头部上侧周围的两组差频刺激对和用于布置在人体头部下侧周围的另外两组差频刺激对。

3.如权利要求2所述的时域干涉特征刺激阵列，其特征在于，所述两组差频刺激对中的四个多参数型特征线圈围绕所述人体头部中心轴环向等间距布置，所述另外两组差频刺激对中的四个多参数型特征线圈也围绕所述人体头部中心轴环向等间距布置。

4.如权利要求3所述的时域干涉特征刺激阵列，其特征在于，所述两组差频刺激对中的四个多参数型特征线圈与所述另外两组差频刺激对中的四个多参数型特征线圈一一对应地上下布置。

5.如权利要求1所述的时域干涉特征刺激阵列，其特征在于，所述平面绕制型多匝线圈的线圈外侧一端位于最外侧一匝线圈的直角梯形段的短底边上并作为脉冲电流引入端，所述平面绕制型多匝线圈的线圈内侧一端位于最内侧一匝线圈的直角梯形段的短底边上并作为脉冲电流引出端。

6.如权利要求1所述的时域干涉特征刺激阵列，其特征在于，所述第一脉冲电流的频率与所述第二脉冲电流的频率的相差范围不超过10%。

7.一种经颅磁刺激系统，其特征在于，包括有控制模块、直流电源模块、充电电路、储能电容、放电开关、第一放电电路、第二放电电路和如权利要求1～6任意一项所述的用于颅脑深度聚焦刺激的时域干涉特征刺激阵列，其中，所述直流电源模块的直流电输出端、所述充电电路、所述储能电容和所述放电开关的一端依次电连接，所述放电开关的受控端电连接所述控制模块的输出端，所述放电开关的另一端分别电连接所述第一放电电路的输入端和所述第二放电电路的输入端，所述第一放电电路的正极输出端电连接所述时域干涉特征刺激阵列中的所述第一多参数型特征线圈的脉冲电流引入端，所述第一放电电路的负极输出端电连接所述时域干涉特征刺激阵列中的所述第一多参数型特征线圈的脉冲电流引出端，所述第二放电电路的正极输出端电连接所述时域干涉特征刺激阵列中的所述第二多参数型特征线圈的脉冲电流引入端，所述第二放电电路的负极输出端电连接所述时域干涉特征刺激阵列中的所述第二多参数型特征线圈的脉冲电流引出端；

所述控制模块，用于在所述储能电容的两端电压达到预期值时，控制所述放电开关导通，以便通过所述第一放电电路和所述第二放电电路对所述储能电容进行放电；

所述第一放电电路和所述第二放电电路，用于在对所述储能电容放电时，一一对应地输出幅值相同且频率不同的两路脉冲电流。