1.用于微流控芯片的三电极微流体介电测量系统，其特征在于：该系统包括微流道层、上导电玻璃和下导电玻璃；

所述上导电玻璃和下导电玻璃分别位于微流道层两侧，上导电玻璃和下导电玻璃的导电面均朝向微流道层进行键合；

所述上导电玻璃的导电面刻蚀制作三电极中的高压电极；

所述下导电玻璃的导电面刻蚀三电极中的低压电极和屏蔽电极；

三电极中的高压电极、低压电极和屏蔽电极均与微流道接触；

所述上导电玻璃和下导电玻璃为透明的氧化铟锡导电玻璃；

所述上导电玻璃设有高压电极图案的掩膜；所述下导电玻璃设有低压电极图案、屏蔽电极图案的掩膜。

2.用于微流控芯片的三电极微流体介电测量系统的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：S1首先，将具有微型三电极系统的微流控芯片分为三层，各层分别制备完成后，再进行键合封装；微流控芯片中间层为采用聚二甲基硅氧烷PDMS制成的微流道层，微流道层的上层、下层均为两块导电玻璃层，两层导电玻璃的导电面均朝向微流道层进行键合；在上导电玻璃上的导电面刻蚀制作三电极中的高压电极；在下导电玻璃的导电面刻蚀三电极中的低压电极、屏蔽电极；三电极均和微流道接触；

S2根据所需制备的微流控芯片的长宽尺寸，从导电玻璃上，划制两块相应大小的玻璃作为微流控芯片的上底面和下底面；

S3采用物理擦拭法对S2划取的上底面和下底面进行清洗，使用丙酮和酒精棉球依次擦拭上底面和下底面的导电面；使用去离子水冲洗导电面，并放入85℃热板上烘烤以去除表面的水分，提升表面对光刻胶的附着力；

S4对于上导电玻璃，制作高压电极图案的掩膜；对于下导电玻璃，制作低压电极图案和屏蔽电极图案的掩膜；

S5采用旋涂方法，在上导电玻璃的导电面和下导电玻璃的导电面分别涂覆BP‑212正性光刻胶；

S6将S5涂胶处理后的上导电玻璃和下导电玻璃，分别置于紫外曝光机上，使用S4制备的掩膜图案，分别对上导电玻璃和下导电玻璃表面的光刻胶进行接触曝光，使光刻胶受到照射的地方发生化学反应，改变光刻胶在显影液中的溶解度；

S7将曝光后的上导电玻璃、下导电玻璃在NaOH溶液中显影，去除微电极部分以外的光刻胶，使需要刻蚀的部分暴露出来；

S8将上导电玻璃和下导电玻璃置于85℃热板上后烘30min，以去除显影后残留的溶剂和水分，使胶膜完全固化，同时加强胶膜与基片的粘结防止腐蚀时脱落；

S9采用HCl、HNO3或HF溶液对S8处理后的上导电玻璃和下导电玻璃进行腐蚀，使上导电玻璃和下导电玻璃的导电面仅留下粘附光刻胶的电极图案；

S10去除电极图案表面的光刻胶，得到分别仅含有电极图案的上导电玻璃和下导电玻璃；

S11将制备PDMS所需的主剂与固化剂以质量比10:1均匀混合于玻璃器皿中，并充分搅拌，并采用真空排气处理；

S12裁剪制作和微流道层大小相同的硅片模具，采用无水乙醇清洗模具表面并烘干；采用DUPONOLWAQ 5％的异丙醇溶液作为脱模剂喷涂于模具表面；用甩胶机在硅片模具表面旋涂PDMS；旋涂结束后，放入100℃的真空干燥箱中进行固化并脱模，制备得到PDMS薄膜；通过控制旋涂工艺参数制备得到不同厚度和不同硬度的PDMS薄膜；

S13采用紫外激光切割机，在S12制备得到的PDMS薄膜上切割出所需的微流道结构；

S14将上导电玻璃、下导电玻璃和PDMS薄膜一同置入等离子清洗机中，打开等离子清洗机清洗3min；清洗结束后，取出并准备键合；

S15将上导电玻璃和微流道层置于显微镜下，并调整显微镜的焦距和视距，将上电极和微流道的中轴线对准，随后将微流道层与上导电玻璃缓慢贴合，完成键合；同理，将下导电玻璃和微流道层进行键合；

S16按压已键合好的微流控芯片，确保扣合，将微流控芯片封装成一体；

所述旋涂工艺参数包括旋涂速度、旋涂加速度、旋涂时间、真空干燥温度和真空干燥时间；

所述S16之后还包括；将微流控芯片整体置入恒温烤箱中，设置温度为85℃，烘烤

15min，加快微流控芯片封装。