1.氯硅烷的碳总量检测系统，其包括气体发生室，气体发生室内设置有燃烧区域，其特征在于，燃烧区域内布置有用于容纳氯硅烷原料的容置组件，容置组件包括中心导轴、位于顶端的顶部容置架以及设置于顶部容置架下端部的底层容置架，顶部容置架以及底层容置架均包括由横截面呈Z形结构的承托基体绕中心导轴旋转一周获得的承托实体，承托基体包括围合板、托板、引流板，托板的一端固定连接围合板、另一端固定连接引流板，托板与围合板的连接位置为堆叠支撑点；位于下方的围合板的上端部抵向位于上方的堆叠支撑点；

设置于顶部容置架的围合板与中心导轴固定连接；

围合板与托板之间的区域形成原料堆放区，围合板与托板之间的夹角大于90度，托板与引流板之间的夹角小于90度，引流板的延伸方向指向位于其下端部的原料堆放区；

底层容置架设置有三个，最下面的两个底层容置架固定于燃烧区域内，底层容置架内还设置有滑动套接于中心导轴的支架。

2.根据权利要求1所述的氯硅烷的碳总量检测系统，其特征在于，气体发生室内设置有位于燃烧区域下端部的点火区域、位于燃烧区域上端的干燥区域。

3.根据权利要求2所述的氯硅烷的碳总量检测系统，其特征在于，燃烧区域与干燥区域之间设置有分隔板，分隔板上设置用于引导气流进入干燥区域的导气孔，干燥区域上也设置有引导气体进入的导气孔并且干燥区域内存放有除去气体中水分的干燥剂。

4.根据权利要求3所述的氯硅烷的碳总量检测系统，其特征在于，气体发生室上还设置有导气管，导气管用于将干燥后的气体导入至气体处理室内。

5.根据权利要求1所述的氯硅烷的碳总量检测系统，其特征在于，在气体发生室内经过干燥的气体导入至气体处理室，并由气体处理室对气体进行过滤以及吸收；气体处理室包括呈圆柱形结构的多层处理装置，多层处理装置内设置有多个气体处理组件，气体处理组件内装填有氢氧化钾溶液或者氢氧化钠溶液，经过干燥后的气体导入至多层处理装置内时，会依次与多个气体处理组件接触并且是先接触氢氧化钾溶液、然后再接触氢氧化钠溶液。

6.根据权利要求5所述的氯硅烷的碳总量检测系统，其特征在于，气体处理组件包括聚气导板、扣板，聚气导板包括呈锥形的收窄部，收窄部的横向间距由上至下逐步增加，收窄部的下端连接有呈环形结构的水平部，水平部的另一端连接有呈竖直方向向上延伸布置的竖直部，收窄部、水平部、竖直部之间形成蓄液区域，扣板呈锥形并且开口向下布置，扣板的下端部抵向聚气导板的水平部，收窄部与扣板之间形成引导气体流动的气道，收窄部的上端设置有与气道相接通的通孔。

7.根据权利要求6所述的氯硅烷的碳总量检测系统，其特征在于，气体处理室内还设置有紧急制停元件，紧急制停元件包括活动安装于多层处理装置内并且与扣板共轴线布置的芯轴，芯轴上设置有与气体处理组件相对应的导气通道，芯轴在初始状态下，导气通道能够接通气道以及收窄部的下端，当芯轴在竖直方向上向下运动时，能够切断气道与收窄部下端的连接。

8.一种氯硅烷的碳总量检测方法，包括权利要求7所属的氯硅烷的碳总量检测系统，其特征在于，包括以下步骤：S1、在燃烧区域的容置组件上导入氯硅烷原料，向点火区域内导入富氧气体并利用点火区域内产生的火焰对氯硅烷原料进行燃烧；

S2、氯硅烷原料燃烧后产生二氧化碳、氯化氢、水，混合气体向上运动并与干燥剂的作用下吸收水分；

S3、干燥后的混合气体在导气管的作用下被引导至气体处理室内；

S4、混合气体先与气体处理室内容纳有氢氧化钾溶液的气体处理组件接触，利用氢氧化钾溶液吸收二氧化碳；

S5、经过吸收二氧化碳后的气体被导入至容纳有氢氧化钠溶液的气体处理组件中，利用氢氧化钠溶液处理气体中的氯化氢；

S6、导出步骤S4中的氢氧化钾溶液，计算其质量的变化，并进行碳含量的分析。