1.非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料，其特征在于，其结构式为(Sr0.5Ba0.47Gd0.02)Nb1.5M0.5O6，M为Ta1/3Sb1/3Hf1/3、Ta0.25Sb0.25Ti0.25Zr0.25、Ta0.2Sb0.2Ti0.2Zr0.2Hf0.2、Ta0.2Sb0.2Sn0.2Zr0.2Hf0.2中的任意一种。

2.如权利要求1所述的非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料，其特征在于，所述Ta1/3Sb1/3Hf1/3、Ta0.25Sb0.25Ti0.25Zr0.25、Ta0.2Sb0.2Ti0.2Zr0.2Hf0.2、Ta0.2Sb0.2Sn0.2Zr0.2Hf0.2的B位构型熵△Sconfig分别为1.61R、1.686R、1.74R和1.74R，R为理想气体常数。

3.如权利要求1所述的非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料的制备方法，其特征在于，具体为：

步骤1，按照(Sr0.5Ba0.47Gd0.02)Nb1.5M0.5O6的化学计量比分别称取纯度为99.95％以上的BaCO3、SrCO3、Gd2O3、Nb2O5、Ta2O5、Sb2O5、ZrO2、TiO2、HfO2和SnO2，充分混合球磨，干燥，得到原料混合物；

步骤2，将原料混合物预烧，得到预烧粉；

步骤3，将预烧粉在粘结剂作用下进行造粒，过筛，冷等静压下压片，排胶，烧结，得到非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料。

4.如权利要求3所述的非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，球磨介质为无水乙醇，球磨转速为400转/分钟；球磨时间为16～24小时，干燥温度为80～100℃，干燥时间为12～24小时。

5.如权利要求3所述的非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，预烧温度为1000～1200℃，预烧时间为2～6小时，预烧时升温速率不高于5℃/分钟。

6.如权利要求3所述的非充满型铌酸锶钡基高熵铁电储能陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，烧结温度为1300～1340℃，烧结时间为2～6小时。