1.一种高耐磨气阀片陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1：高韧氮化硅陶瓷基片的制备；

S2：微弧氧化电解液的调配；

S3：高韧氮化硅陶瓷基片镀铝后微弧氧化镀陶瓷层；

S4：耐磨陶瓷片的热处理及抛光；

步骤S2微弧氧化电解液的调配，具体包括以下步骤：

S2.1：将100‑120份去离子水加入容器中，将容器置于水浴加热锅中，调节温度为80‑85℃，水浴加热50‑55分钟，得到预热去离子水；

S2.2：取1‑1.2份Na2SiO3、1‑1.2份(NaPO3)6、0.6‑0.8份BaTiO3和0.4‑0.5份酸性磷酸铝钠依次加入预热去离子水中，同时进行搅拌，当固体物质全部溶解时，得到混合液，加入PH调节剂，将混合液PH调节至9.5‑10，得到微弧氧化电解液。

2.根据权利要求1所述的一种高耐磨气阀片陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S1高韧氮化硅陶瓷基片的制备，具体包括以下步骤：S1.1：将4‑5份Si3N4、0.3‑0.4份烧结助剂、0.2‑0.25份钨、0.05‑0.06份碳纤维和2‑3份无水乙醇混合加入行星球磨机中，调节转速为500‑600rpm，球磨55‑60分钟，得到球磨浆料；

S1.2：将球磨浆料置于烘干箱中，先以85‑90℃的温度烘干6‑7小时，再将烘干后的浆料投入粉碎机粉碎，通过100‑120目筛进行过筛造粒处理，得到混合粉料，将混合粉料装入钢模中，利用压模机在50‑55Mpa的压力下压制30‑35S得到生坯，再将生坯在145‑150Mpa下进行冷等静压处理，得到致密生坯；

S1.3：将致密生坯置于气压烧结炉中，通入氮气使炉内压强升至0.5‑0.6Mpa，以14‑15℃/min的升温速率升温至780‑800℃，继续通入氮气使压强加压至5‑6Mpa，以8‑10℃/min的升温速率升温至1450‑1500℃，保温2‑2.5小时，再以4‑5℃/min的升温速率升温至1780‑

1790℃，保温3‑3.5小时，然后以6‑8℃/min的降温速率将炉内温度降至750‑800℃，关闭加热装置使炉内温度自然冷却至室温，将压强降至常压，得到高韧氮化硅陶瓷基片。

3.根据权利要求1所述的一种高耐磨气阀片陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S3高韧氮化硅陶瓷基片镀铝后微弧氧化镀陶瓷层，具体包括以下步骤：S3.1：取2‑3份铸铝合金投入粉碎机进行粉碎，然后再将所得铸铝合金颗粒投入行星级球磨机中进行球磨，得到0.1‑0.3μm的铸铝合金粉末，将高韧氮化硅陶瓷基片浸没于装有丙酮溶液的容器中，将容器放入超声波清洗机中，以20‑25KHz的频率对高韧氮化硅陶瓷基片进行超声清洗20‑25分钟，然后置于烘干机中以70‑75℃的温度烘干30‑35分钟，得到清洁陶瓷基片；

S3.2：将清洁陶瓷基片置于磁控溅射镀膜机的真空腔中，步骤S3.1制得的铸铝合金粉末作为靶材安装在溅射系统中，对清洁陶瓷基片进行镀膜，镀膜厚度为0.3‑0.4mm，得到镀铸铝合金的陶瓷基片；

S3.3：将微弧氧化电解液加入微弧氧化电解槽中，再将镀铸铝合金的陶瓷基片作为阳极浸在微弧氧化电解液中，不锈钢容器作为阴极，调节电参数为恒流模式，正向电流密度

4.5‑5A/dm2、负向电流密度为1‑1.2A/dm2，频率500‑510Hz、占空比30‑35％，电镀50‑55分钟，得到耐磨陶瓷片。

4.根据权利要求1所述的一种高耐磨气阀片陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S4耐磨陶瓷片的热处理及抛光，具体包括以下步骤：S4.1：将耐磨陶瓷片置于烘干箱中，通入氮气使烘干箱中氮气含量达到90‑95％，以3‑4℃/min的升温速率升温至150‑180℃，保温55‑60分钟，再以1‑2℃/min的升温速率升温至

300‑320℃，保温1‑2小时，自然冷却后得到热处理陶瓷片；

S4.2：将热处理陶瓷片用表面金刚石粒径为2‑3μm的金刚石砂轮进行机械抛光，调节抛光速度为13‑15m/s，得到抛光陶瓷片，用去离子水对抛光陶瓷片冲洗2‑3次，然后置于干燥箱中以80‑85℃的温度干燥30‑35分钟，自然冷却至室温后得到高耐磨气阀片。

5.根据权利要求2所述的一种高耐磨气阀片陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S1.1中的烧结助剂为Y2O3‑Al2O3烧结助剂。

6.根据权利要求2所述的一种高耐磨气阀片陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S1.1中的球磨所用磨球为直径3‑4mm的钢球。

7.根据权利要求2所述的一种高耐磨气阀片陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S1.2中的钢模为特制气阀片模具。

8.根据权利要求1所述的一种高耐磨气阀片陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S2.2中的PH调节剂为氢氧化钠。

9.根据权利要求3所述的一种高耐磨气阀片陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤S3.1中的铸铝合金成分包含Al、Cu、Zn和Mg元素，其中Al的质量百分含量在92％‑94％之间，Cu的质量百分含量在2％‑4％之间，Zn的质量百分含量在3％‑6％之间，Mg的质量百分含量在0.03％‑1.2％之间。