1.一种多电极ECT传感器设计方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1.利用保角变换方法建立ECT传感器的解析数学模型；

步骤2.根据建立的解析数学模型提出一种ECT相邻电极的电势穿透深度不小于管道半径的电极参数设计原则，得到ECT传感器电极的穿透深度以及初始电极参数；

步骤3.根据选取的初始电极参数中的电极宽度，首先通过增加电极的方式增加测量电容个数，将电极数量进行扩展，然后提出并联组合电极的方法，使组合后的电极组相对宽度不小于初始电极参数所求的电极宽度，设计多电极ECT传感器阵列；

步骤4.根据步骤3所设计的多电极ECT传感器阵列，提出一种与之对应的并联循环激励策略，进而完成多电极ECT传感器阵列的激励策略设定；

所述步骤1具体为：

步骤1.1.将圆弧电容转换成平面电容，即转换为平行板电容器；

步骤1.2.求出平行板电容器的电容公式；

步骤1.3.利用步骤1.2的电容公式，求出任意两电极间的电容值，根据各电极间的几何关系，推出ECT传感器的解析数学模型；

其中，非对称极板时，ECT传感器的解析数学模型公式为：对极板时，ECT传感器的解析数学模型公式为：其中，M是电极的个数，θ是电极宽度对应的夹角，β是相邻电极之间的夹角，r是管道的半径，l是电极的长度，i、j是电极编号，βij是电极i、j之间的夹角，wij是电极i、j经过变换后电极宽度，Cij是电极i、j之间的电容，T是相邻电极的穿透深度，δ是所有电极宽度之和所占整个管道周长的比例，ε0是真空的介电常数，εr是介质的介电常数。

2.根据权利要求1所述的多电极ECT传感器设计方法，其特征在于，所述步骤1.1中，定义圆弧电容所在平面为Z复平面，定义平面电容所在平面为ω，复平面，则将Z复平面的圆弧电容转换成ω，复平面中的平面电容的公式如下：定义A＇＇、B＇＇、C＇＇、D＇＇是z复平面中A、B、C、D各点在ω，复平面的映射，LA”LB”LC”LD”是ω，复平面中A＇＇、B＇＇、C＇＇、D＇＇各点距离原点的距离；θ是两圆弧电极对应的弧度角，θ1是两圆弧与x轴的夹角，r是管道半径。

3.根据权利要求1所述的多电极ECT传感器设计方法，其特征在于，所述步骤1.2中，平行板电容器的电容公式如下：其中，C是两极板的电容，l是极板长度，w是极板宽度，a是两极板的距离，ε0是真空的介电常数，εr是介质的介电常数。

4.根据权利要求1所述的多电极ECT传感器设计方法，其特征在于，所述步骤2具体为：

步骤2.1.将管道尺寸代入步骤1得到的ECT传感器的解析数学模型中计算，求出不同电极个数时的电极参数，包括相邻电极的穿透深度和电极尺寸；

其中，电极尺寸包括电极长度、电极宽度和电极高度；

步骤2.2.选取T≥r时，电极宽度最大的一组电极参数作为初始电极参数；其中，T表示ECT相邻电极的电势穿透深度，r表示管道半径。

5.根据权利要求4所述的多电极ECT传感器设计方法，其特征在于，所述步骤3具体为：

步骤3.1.根据步骤2.2选取的初始电极参数对应的电极宽度，首先通过增加电极的方式增加测量电容个数，将电极数量扩展到N个；

步骤3.2.根据步骤3.1选取的电极个数N，将电极个数N代入ECT传感器的解析数学模型公式，求出单个电极的宽度；

步骤3.3.根据步骤3.2的计算结果，提出一种并联组合电极的方法，使组合后的电极组相对宽度不小于步骤2.2所求的电极宽度，确定电极组合个数n；

步骤3.4.将ECT传感器的N个电极沿管道的周向方向均匀分布在管道外壁，以任意电极为起点，将电极从1至N顺序编号；

步骤3.5.将相邻的n个电极合并为一个电极组，获得n*(n‑1)/2组合并电极组；

步骤3.6.将N电极ECT传感器划分为n个相互独立的层，每层由N/n个电极组构成，每个电极组由n个编号依次相邻的电极组成；

第一层电极组确定后，剩余层电极组相较于上一层依次偏移一个电极的位置。

6.根据权利要求5所述的多电极ECT传感器设计方法，其特征在于，所述步骤4具体为：

步骤4.1.对电极组采用并联循环激励方式，对同层中某一组电极施加激励电压，其余电极组作为测量电极组，依次测量同层中测量电极组的电容值；

步骤4.2.重复步骤4.1，同层中下一组电极作为激励电极，其余电极组作为测量电极组，直至倒数第二组电极作为激励电极，其余电极组作为测量电极组；

步骤4.3.重复步骤4.2，直至所有层的电极组都测量完毕，当n层电极组全部测量完毕即完成一轮扫描；由此，完成了ECT传感器的激励策略设定。

7.根据权利要求5所述的多电极ECT传感器设计方法，其特征在于，所述管道是采用非极性塑料的聚丙烯材料制成的。

8.根据权利要求5所述的多电极ECT传感器设计方法，其特征在于，所述电极为圆弧型的铜质材料，其半径与管道外壁直径相同，在电极外侧覆盖有屏蔽层。

9.一种多电极ECT传感器，其特征在于，该多电极ECT传感器是由如权利要求1至8任一项所述的多电极ECT传感器设计方法制作而成的。