1.一种小型化高Q值同轴谐振腔，其特征在于，包括：金属腔体、盖板、金属谐振杆；所述金属腔体为滤波器腔体，金属腔体为柱体或长方体的立体几何形状，盖板位于金属腔体顶部，使得金属腔体成为密闭空间，减少辐射损耗；金属腔体内部设有金属谐振杆，所述金属谐振杆上端为一圆形平面，下端为一圆形平面，侧表面为渐变内凹型结构；所述金属谐振杆中轴线与金属壳中轴线重合；所述金属谐振杆上端与所述金属腔体之间留有缝隙，形成开路；所述金属谐振杆下端与所述金属腔体直接相连，形成短路；滤波器腔体的尺寸取决于具体的频率和Q值需求；

所述金属谐振杆的渐变内凹侧表面由凹曲线函数绕着主轴旋转得到；

所述凹曲线函数由fx表示，为满足下式的一切函数，其中x1，x2 为定义域中任意两个值：  ，所述凹曲线函数, 包括抛物线函数，双曲线函数，半球函数，椭圆曲线，卵形线、渐开线、悬链线；或凹曲线为几种凹曲线函数合成的凹曲线; 或凹曲线为非解析表示的弧线；

所述侧表面的凹陷程度决定同轴谐振腔的谐振频率和Q值；所述侧表面的凹陷程度越大，谐振频率越低；

所述 侧表 面的 凹陷 程度 越大 ，Q 值先 增大 后减 小；所述 Q值 满足 ： ，其中，C为常数，a为金属腔体边长，Ra为金属谐振杆几何平均半径，L为金属谐振杆高度。

2.根据权利要求1所述高Q值同轴谐振腔，其特征在于：缝隙留有3±1mm。

3.根据权利要求1‑2任一所述高Q值同轴谐振腔制备的同轴腔体带通滤波器，其特征在于，所述同轴腔体带通滤波器由四个所述高Q值同轴谐振腔线性级联而成；包括：滤波器腔体盖板、滤波器腔体、SMA连接器、第一谐振杆、第二谐振杆、第三谐振杆、第四谐振杆；所述滤波器腔体为立体几何图形，滤波器腔体盖板位于滤波器腔体顶部形成密闭空腔；第一谐振杆、第二谐振杆、第三谐振杆、第四谐振杆均与滤波器腔体相连形成短路，与滤波器盖板留有缝隙形成开路；同轴腔体带通滤波器采用两个SMA连接器进行能量的输入和输出。

4.根据权利要求3所述同轴腔体带通滤波器，其特征在于：所述同轴腔体带通滤波器为轴对称结构，因此四个所述小型化高Q值同轴谐振腔其尺寸两两相同。

5.根据权利要求4所述同轴腔体带通滤波器，其特征在于：设有SMA连接器置于所述同轴腔体带通滤波器的输入、输出两侧，通过SMA连接器、50Ω特性阻抗传输线将同轴腔体带通滤波器接入外电路并与外电路匹配。