1.一种用于氮化硅陶瓷球加工的沟槽盘，其特征在于，所述沟槽盘上设有变曲率沟槽，所述变曲率沟槽包括交错设置的同心圆曲线、偏心圆曲线和直线，所述同心圆曲线、偏心圆曲线、直线两两交界处的角度变化值不一；

所述偏心圆曲线包括3段对应角度为16°的偏心距为300的偏心圆曲线，及1段对应角度为66°的偏心距为5的偏心圆曲线；

所述变曲率沟槽包括交错设置的2段同心圆曲线、4段偏心圆曲线和1段直线。

2.根据权利要求1所述的一种用于氮化硅陶瓷球加工的沟槽盘，其特征在于，所述同心圆曲线、偏心圆曲线、直线两两交界处的角度变化值a的范围为10°

3.一种如权利要求1～2之一所述的沟槽盘的加工方法，其特征在于，在沟槽盘上开设变曲率沟槽，其中变曲率沟槽包括交错设置的同心圆曲线、偏心圆曲线和直线，同时保证同心圆曲线、偏心圆曲线、直线两两交界处的角度变化值不一，得到设有变曲率沟槽的沟槽盘。

4.一种氮化硅陶瓷球研磨加工装置，其特征在于，

包括装于上盘的磨料盘，及装于下盘的如权利要求1～2之一所述的沟槽盘。

5.根据权利要求4所述的一种氮化硅陶瓷球研磨加工装置，其特征在于，所述磨料盘的制备方法为：将磨料、陶瓷结合剂、造孔剂以及酚醛树脂粉混合搅拌均匀，热压后修整为固着磨料块，将其安装到磨料盘的预留的凹槽中得到；所述凹槽交错设置在磨料盘上，使得最终制得的磨料盘为非连续磨料盘。

6.根据权利要求5所述的一种氮化硅陶瓷球研磨加工装置，其特征在于，所述固着磨料块安装到所述磨料盘的预留凹槽后，对所述磨料盘修整至其平面度小于

0.1mm。

7.一种氮化硅陶瓷球加工方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、按权利要求3所述的方法进行沟槽盘加工；

S2、组装如权利要求4～6之一所述的研磨加工装置；

S3、研磨加工：氮化硅陶瓷球置于沟槽盘的变曲率沟槽上使之位于沟槽盘与磨料盘之间，对磨料盘施加压力从而将压力传导至陶瓷球上，启动研磨加工装置使得沟槽盘开始旋转，在沟槽盘与磨料盘之间注入研磨液，磨料盘上的固着磨料块对氮化硅陶瓷球表面进行划擦，完成精加工。

8.根据权利要求7所述的一种氮化硅陶瓷球加工方法，其特征在于，步骤S3中，所述研磨液的制备方法为：以去离子水为基液，添加2wt％化学磨料粉和

1wt％的金刚石粉混合得到。

9.根据权利要求8所述的一种氮化硅陶瓷球加工方法，其特征在于，所述化学磨料粉为氧化铈、氧化锆、氧化铁中的一种或多种。