1.一种紧凑型绝热光隔离器，其特征在于，包括第一包层(1)、第二包层(2)、第三包层(3)、第一硅芯(4)及第二硅芯(5)；所述第一包层(1)的上端分别设置第一硅芯(4)及第二硅芯(5)；所述第一硅芯(4)及第二硅芯(5)的四周均设置第二包层(2)；所述第一硅芯(4)及第二硅芯(5)的上端设置第三包层(3)；沿光束传播方向，第一硅芯(4)为宽波导，第二硅芯(5)为窄波导，所述第一硅芯(4)、第二硅芯(5)均包括依次连接的输入端(6)、第一绝热耦合器过渡结构(7)、绝热耦合器转换结构(8)、第二绝热耦合器过渡结构(9)及输出端(10)；所述第一绝热耦合器过渡结构(7)用于实现输入端(6)窄波导中TE0模式的绝热传输；所述绝热耦合器转换结构(8)将窄波导中的TE0模式转换成宽波导中的TM0模式；所述第二绝热耦合器过渡结构(9)用于实现宽波导中TM0模式的绝热传输；

入射光束波长设置为1550nm；所述第一硅芯(4)与第二硅芯(5)的折射率nSi＝3.455，厚度均为h2＝220nm；所述输入端(6)和输出端(10)是平行板波导；在输入端(6)的方向，所述第一硅芯(4)的宽度为WI＝0.54μm；所述第二硅芯(5)的宽度为wI＝0.46μm，其中WI+wI＝1μm，第一硅芯(4)与第二硅芯(5)之间的间隙G＝150nm；在输出端(10)的方向，所述第一硅芯(4)的宽度为WO＝0.7μm，所述第二硅芯(5)的宽度为wO＝0.3μm，其中WO+wO＝1μm，第一硅芯(4)与第二硅芯(5)之间的间隙G＝150nm；

所述第一绝热耦合器过渡结构(7)在光束传播方向上包含一个片段，由直线连接宽度W1＝0.54μm和W2，其中0.54μm

所述绝热耦合器转换结构(8)在光束传播方向上包含十个片段：片段一由直线连接宽度W2和Wa＝0.595μm，长度L1＝43.57μm；片段二由直线连接宽度Wa＝0.595μm和Wb＝0.597μm，长度L2＝68.592μm；片段三由直线连接宽度Wb＝0.597μm和Wc＝0.598μm，长度L3＝167.485μm；片段四由直线连接宽度Wc＝0.598μm和Wd＝0.599μm，长度L4＝137.295μm；片段五由直线连接宽度Wd＝0.599μm和We＝0.60μm，长度L5＝151.88μm；片段六由直线连接宽度We＝0.60μm和Wf＝0.601μm，长度L6＝143.955μm；片段七由直线连接宽度Wf＝0.601μm和Wg＝0.602μm，长度L7＝81.77μm；片段八由直线连接宽度Wg＝0.602μm和Wh＝0.604μm，长度L8＝75.125μm；

片段九由直线连接宽度Wh＝0.604μm和Wk＝0.608μm，长度L9＝38.488μm；片段十由直线连接宽度Wk＝0.608μm和W3，长度L10＝12.982μm，片段一至片段十的总长度Lt2＝921.142μm；

所述第二绝热耦合器过渡结构(9)在光束传播方向上包含一个片段，由直线连接宽度W3和W4＝0.70μm，其中0.608μm

2.根据权利要求1所述的一种紧凑型绝热光隔离器，其特征在于，所述第一包层(1)的材料为SiO2，折射率nSiO2＝1.445，厚度为h1，宽度W0>WI+wI+G；第二包层(2)的材料为Air，折射率nAir＝1，厚度为h2＝220nm；第三包层(3)的材料为Ce:YIG，折射率nCe:YIG＝2.2，厚度为h3，宽度W0。

3.根据权利要求1所述的一种紧凑型绝热光隔离器，其特征在于，W2＝0.59μm。

4.根据权利要求1所述的一种紧凑型绝热光隔离器，其特征在于，W3＝0.63μm。