1.一种评估VCO相位噪声灵敏度的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，利用仿真软件测量振荡器单元VCO模块的本征均方根抖动RMS_Jitter1；

S2，对目标元器件并联电流源器件，并进行PSS+Pnoise仿真，得到均方根抖动RMS_Jitter2；

S3，对不同位置的目标元器件分别并联电流源器件，得到均方根抖动RMS_Jitter3、……RMS_JitterN；

S4，将RMS_Jitter2、RMS_Jitter3、……RMS_JitterN分别与RMS_Jitter1的值进行比较，找到差别最大的，确定此对应的目标元器件对整个振荡器单元的相位噪声影响最大，并对此目标元器件进行优化；

所述电流源器件是交流电流源isin器件或是电压控制型电流源VCCS；

所述isin器件的频率是振荡器频率；

所述目标元器件是PMOS管或NMOS管；

所述振荡器单元包括第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第三NMOS管M5，交叉耦合的第一PMOS管M1和第二PMOS管M2漏极分别接差分输出Vo‑和Vo+，栅极分别接差分输出Vo+和Vo‑，源极共同接电压源Vdd；第一NMOS管M3和第二NMOS管M4组成差分对管，其栅极分别接差分输入Vi+和Vi‑，其漏极分别接差分输出Vo‑和Vo+，其源极相接并与第三NMOS管M5的漏极相连；第三NMOS管M5的栅极接电压源Vb，源极接地；

电流源器件并联在PMOS管或NMOS管的源极和漏极之间；

并联isin器件用于测试单个频率噪声下对目标源器件相位噪声的影响；

并联VCCS用于测试全频带噪声下对目标元器件相位噪声的影响。