1.高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法，其特征在于，通过三氧化二镓掺杂铌酸钠陶瓷，将Na2CO3、Ga2O3和Nb2O5按照化学计量比称量混合、球磨干燥，然后将不同组分的混合粉末通过等静压技术挤压成片，最后在不同温度烧结即得，获得工作温度低，电导率高，化学稳定性好的铌酸钠基陶瓷。

2.根据权利要求1所述的高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤进行实施：步骤1，按照化学计量比NaNb1‑xGaxO3‑x，x＝0.02，0.04，0.06，0.08，称量Na2CO3、Ga2O3和Nb2O5；

步骤2，在球磨机中用酒精为介质，一次球磨后干燥并煅烧，得到预烧粉体；

步骤3，将步骤2得到的预烧粉体，以酒精为球磨介质进行二次球磨，二次球磨完成后，将混合均匀的浆料进行干燥，得到Ga2O3的NaNbO3粉体；

步骤4，将步骤3得到的粉体在冷等静压机中，压力成型成圆片，将成型后的圆片烧结成瓷，将烧结后的陶瓷片进行打磨、抛光，通过银极测试陶瓷的电导率，确定步骤1中最高电导率的组分x，即得。

3.根据权利要求2所述的高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤2中的一次球磨后干燥并在800℃～900℃煅烧3h。

4.根据权利要求2所述的高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤2和步骤3中采用行星球磨机，均以250～400r/min的转速球磨12～16h。

5.根据权利要求2所述的高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法，其特征在于，在所述步骤4中冷等静压机用200MPa的压力压5min，成为直径10mm，厚度1mm的圆坯，烧结1125℃～

1175℃下保温3h。

6.根据权利要求1所述的高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法，其特征在于，根据所述步骤4得到具有最高离子电导率的组分x的取值，在600℃，H2气氛下保温6h，然后喷铂金电极测试陶瓷的离子电导率，确定最高离子电导率的组分x在还原气氛下的化学稳定性。

7.根据权利要求6所述的高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤4进行银极测试时，银电极烧成在800℃下保温30min。

8.根据权利要求1所述的高离子电导率铌酸钠基陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的Na2CO3、Ga2O3和Nb2O5纯度均不小于99.5％。