1.一种绝热模式耦合器，包括硅芯和包层，其特征在于，所述硅芯包括平板硅(3)、第一硅脊(4)以及第二硅脊(5)；所述平板硅(3)上端分别设置第一硅脊(4)与第二硅脊(5)；所述包层从下往上依次为起支撑作用的硅衬底(1)、二氧化硅下包层(2)、上包层(6)；所述硅衬底(1)连接二氧化硅下包层(2)；所述二氧化硅下包层(2)连接平板硅(3)；所述平板硅(3)、第一硅脊(4)以及第二硅脊(5)均连接上包层(6)；所述平板硅(3)的厚度为h3＝0.11μm，宽度为W0，所述第一硅脊(4)以及第二硅脊(5)的厚度均为h4＝0.11μm，第一硅脊(4)的宽度为w1，第二硅脊(5)的宽度为w2，第一硅脊(4)以及第二硅脊(5)的间隙宽度为g＝0.4μm，硅芯的折射率nSi＝3.455；硅衬底(1)的厚度为h1且h1<0.2μm；所述二氧化硅下包层(2)的厚度为h2＝1μm、折射率nSiO2＝1.445，宽度为W0；其中宽度W0：

2.根据权利要求1所述的一种绝热模式耦合器，其特征在于，所述上包层(6)为空气、二氧化硅及氮化硅中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种绝热模式耦合器，其特征在于，沿着能量传输方向，在硅芯上，w1+w2+g＝1.4μm，所述硅芯上的输入端口和输出端口均为平行板波导；输入端口的宽度w1＝0.8μm，w2＝0.12μm；输出端口的宽度w1＝0.5μm，w2＝0.5μm。