1.一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置，其特征在于：包括泵浦光源(1)、波分复用器(2)、掺铒增益光纤(3)、偏振控制器(4)、偏振无关隔离器(5)、铅锡碲可饱和吸收体(6)和输出耦合器(7)；

其中泵浦光源(1)的输出端与波分复用器(2)的第一输入端相连，波分复用器(2)的输出端与掺铒增益光纤(3)的一端相连，掺铒光纤(3)的另一端与偏振控制器(4)的一端相连，偏振控制器(4)的另一端与偏振无关隔离器(5)的输入端相连，偏振无关隔离器(5)的输出端与铅锡碲可饱和吸收体(6)的一端相连，铅锡碲可饱和吸收体(6)的另一端与输出耦合器(7)的输入端相连，输出耦合器(7)的80％输出端与波分复用器(2)的第二输入端相连。

2.根据权利要求1所述的一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置，其特征在于，所述泵浦光源(1)采用中心波长为980nm的可调谐单模半导体激光器泵浦，并使用

980/1550nm的波分复用器(2)将泵浦光注入到掺铒增益光纤(3)中。

3.根据权利要求1所述的一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置，其特征在于，所述输出耦合器(7)的20％输出端连接有自相关仪或者光纤光谱仪或者示波器，用于测量掺铒光纤激光装置的激光输出特性。

4.根据权利要求1所述的一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置，其特征在于，所述铅锡碲可饱和吸收体的具体制备步骤为：步骤S1、利用锡碲和铅碲粉末通过化学沉积方法在氟云母片上制得Pb1‑XSnXTe纳米片；

步骤S2、在硅片上制备PDMS膜，将PDMS膜从硅片上剥离，得到PDMS薄膜片；

步骤S3、以PDMS薄膜片作为转移介质，将Pb1‑XSnXTe纳米片转移到两个光纤跳线头之间，并将跳线头用法兰头固定，以制备得到铅锡碲可饱和吸收体。

5.根据权利要求4所述的一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置，其特征在于，所述步骤S1具体包括：在单温区水平管式炉中，加入0.2g SnTe和0.2g PbTe粉末，粉末放置在距离管式炉中心8‑12cm的上游位置，在距离管式炉中心10‑15cm的下游位置添加氟云母片，然后设置管式炉内生长温度为650℃，同时以20sccm的恒定流量通入氩气，生长2‑5分钟时间后，将炉膛自然冷却至室温，使得氟云母片上生长Pb1‑XSnXTe纳米片。

6.根据权利要求4所述的一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置，其特征在于，所述步骤S2具体包括：将体积比为10:1的基础树脂与硬化剂溶液混合在一起，充分混合后在真空干燥器中脱气，去除截留的气泡；

然后将溶液倒在干净的硅片上，在60℃的烤箱中热固化3小时；

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固化后，将得到的PDMS膜从硅片上剥离下来，并PDMS膜切成1x1mm的PDMS薄膜片。

7.根据权利要求4所述的一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置，其特征在于，所述步骤S3中以PDMS薄膜片作为转移介质，将Pb1‑XSnXTe纳米片转移到两个光纤跳线头之间具体包括：利用PDMS薄膜片机械剥离氟云母片上的Pb1‑XSnXTe纳米片；

然后利用光学显微镜对氟云母片上脱落的铅烯碲纳米片进行光学表征测量，寻找厚度合适的Pb1‑XSnXTe纳米片；

利用光纤跳线头端面多次按压厚度合适的Pb1‑XSnXTe纳米片，使得该Pb1‑XSnXTe纳米片转移到光纤跳线头端面上，其中厚度合适指的是厚度为90‑150nm范围内的Pb1‑XSnXTe纳米片。

8.根据权利要求7所述的一种基于铅锡碲可饱和吸收体的掺铒光纤激光装置，其特征在于，所述利用PDMS薄膜片机械剥离氟云母片上的Pb1‑XSnXTe纳米片的步骤具体包括：首先将PDMS薄膜片与氟云母片表面充分接触，使得PDMS薄膜片吸附上铅烯碲纳米片；

然后使用镊子剥离PDMS薄膜片和氟云母片之间的结合，得到表面上吸附有若干铅烯碲纳米片的PDMS薄膜片。