1.一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法，其特征在于，所述Bi基钙钛矿薄膜的制备方法包括以下步骤：S1：将0.1g‑0.3g的BiI3粉末溶于有机溶剂中，在惰性气氛中，保持溶液温度50‑60℃，所述BiI3粉末完全溶解，得到前驱体溶液；

S2：将得到的所述前驱体溶液旋涂在电子传输层表面，形成薄膜，然后对该薄膜进行退火处理，得到平整的BiI3薄膜；

S3：将得到的所述BiI3薄膜，倒贴在培养皿内，将培养皿倒扣在热台上，热台温度为150℃，热台上放置MAX，使所述MAX气化，所述MAX与所述BiI3薄膜反应60min，然后取下所述培养皿中的薄膜，可以得到化学式为MA3Bi2X9的Bi基钙钛矿薄膜；

所述MAX为CH3NH3I，CH3NH3I气化后形成的气相环境用于改变Bi基钙钛矿薄膜晶格方向和形貌。

2.根据权利要求1所述一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法，其特征在于，所述S1中的所述BiI3溶液浓度为0.8‑1.2mol/L。

3.根据权利要求1所述一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法，其特征在于，所述S1中所述有机溶剂为DMF、DMSO，所述DMF、DMSO按4：1的体积配比相互混合。

4.根据权利要求1所述一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法，其特征在于，所述S2中退火处理的退火温度为100‑150℃。

5.根据权利要求1所述一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法，其特征在于，所述S2中在匀胶机中进行所述BiI3溶液的旋涂，所述匀胶机的转速大于5000rpm，旋涂时间大于30s。

6.根据权利要求1所述一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法，其特征在于，所述MA3Bi2X9钙钛矿薄膜体相为致密的颗粒状。

7.根据权利要求1所述一种Bi基钙钛矿薄膜晶相的制备方法，其特征在于，S3中，所述Bi基钙钛矿薄膜的制备对气氛无要求，在惰性气体和空气中均可制备。

8.一种权利要求1‑7任意一项制得的Bi基钙钛矿薄膜晶相的应用，其特征在于，所述Bi基钙钛矿薄膜晶相用于制造平面型钙钛矿太阳能电池的吸光层，所述平面型钙钛矿太阳能电池包括电子传输层、吸光层和空穴传输层，电子传输层为二氧化锡薄膜，所述太阳能电池结构可以为在FTO玻璃衬底上旋涂SnO2，然后在所述电子传输层上旋涂或二步气相沉积所述Bi基钙钛矿薄膜，所述吸光层上面旋涂Spiro‑OMeTD，再蒸上金/银电极作为对电极。