1.一种高压电缆用高剥离性、低体积电阻率的半导电屏蔽材料，其特征在于，按重量份数计，包含如下组分：20‑45份三元乙丙橡胶、30‑50份乙烯‑醋酸乙烯酯共聚物、15‑20份低密度聚乙烯、25‑35份导电炭黑、2‑5份含氟硅抗粘结剂及15‑20份功能助剂；其中，所述含氟硅抗粘结剂具有如式I所示结构：；

式I中的n、m均为整数，且n=2‑5，m=6‑8；

所述导电炭黑的吸油值为150‑350ml/100g，粒径不高于30nm。

2.根据权利要求1所述半导电屏蔽材料，其特征在于，所述含氟硅抗粘结剂的制备方法包含如下步骤：S1：将充满惰性气体的反应器置于冰水浴中，然后投入具有式II结构的含氟烷基醇聚醚、丙二醇与固体酸催化剂，缓慢升温开启反应，待反应结束，加入吸水剂并过滤；

；

S2：将步骤S1所得产物与固体酸催化剂置于另一充满惰性气体的反应器中，再次升温启动反应，待反应结束，加入吸水剂并过滤；

S3：向处于冰水浴中的反应器中充满惰性气体，然后将步骤S2所得产物与催化剂投入反应器，升温至反应温度后，缓慢滴加三甲氧基氢硅烷，保温一段时间，待反应结束，减压蒸馏收集278‑280℃的馏分即为目标产物。

3.根据权利要求2所述半导电屏蔽材料，其特征在于，所述步骤S1中含氟烷基醇聚醚与丙二醇的投入摩尔比为1:2‑2.2。

4.根据权利要求2所述半导电屏蔽材料，其特征在于，所述步骤S1中催化剂为固体酸催化剂为氧化铝、氧化锰、氧化铁中的至少一种；反应温度为240‑280℃。

5.根据权利要求2所述半导电屏蔽材料，其特征在于，所述步骤S2中的反应温度为300‑

350℃。

6.根据权利要求2所述半导电屏蔽材料，其特征在于，所述步骤S3中，所用催化剂为氯铂酸与异丙醇、柠檬酸按照质量比5:1‑2:1‑2在50‑60℃反应所得的；步骤S2所得产物与三甲氧基氢硅烷的摩尔比为1:2‑2.5。

7.根据权利要求2所述半导电屏蔽材料，其特征在于，所述步骤S3中，三甲氧基氢硅烷的滴加时间控制在0.5‑1h之间，反应温度为80‑85℃，反应时间为2‑3h。

8.根据权利要求1所述半导电屏蔽材料，其特征在于，所述功能助剂包含润滑剂、硫化活化剂、交联剂和防老剂；其中，所述润滑剂为石蜡，所述硫化活性剂为氧化锌和硬脂酸中的至少一种，所述交联剂为过氧化二异丙苯和三烯丙基异氰脲酸酯中的至少一种，所述防老剂为防老剂D、防老剂RD、防老剂124、防老剂MB、防老剂DNP、防老剂NBC中的至少一种。

9.权利要求1‑8任一所述半导电屏蔽材料的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：先将三元乙丙橡胶、乙烯‑醋酸乙烯酯共聚物、导电炭黑与功能助剂按照一定重量份数投入

150‑200℃的双螺杆挤出机中熔融共混制得母料后，再将母料与一定重量份数的低密度聚乙烯和含氟硅抗粘结剂于180‑250℃下熔融共混挤出成粒后，加压成型获得所述半导电屏蔽材料。