1.一种碱金属薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

硅(111)‑7×7衬底的制备：采用硅片制备获得硅(111)‑7×7衬底；

镉(0001)薄膜的生长：在真空条件下，给镉源除气，然后加热使镉原子蒸镀到硅(111)‑

7×7衬底的表面，获得镉(0001)薄膜；在蒸镀过程中，硅(111)‑7×7衬底的温度保持在室温条件；

对三联苯分子(110)薄膜的生长：在真空条件下，给对三联苯分子除气，然后加热使对三联苯分子蒸镀到镉(0001)薄膜的表面，获得对三联苯分子(110)薄膜，在蒸镀过程中，镉(0001)薄膜的温度保持在零下185℃ 零下180℃之间；

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碱金属掺杂对三联苯分子(110)薄膜的生长：在真空条件下，给碱金属源除气，然后加热使碱金属原子蒸镀到对三联苯分子(110)薄膜中，获得碱金属掺杂对三联苯分子薄膜；在蒸镀过程中，对三联苯分子(110)薄膜的温度保持在零下155℃ 零下150℃之间；

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碱金属薄膜的生长：在真空条件下，将碱金属掺杂对三联苯分子薄膜置于真空中，在室温下放置20 40min，使碱金属掺杂对三联苯分子薄膜温度从零下195℃上升到零下110℃，~再传入扫描隧道显微镜(STM)中冷却到零下195℃，完成退火过程，获得碱金属薄膜。

2.根据权利要求1所述的碱金属薄膜的制备方法，其特征在于，所述碱金属源选自锂源、钠源、钾源、铷源和铯源中的至少一种；

所述钾源为铬酸钾和锆铝合金的混合物；

所述镉源为金属镉。

3.根据权利要求1所述的碱金属薄膜的制备方法，其特征在于，所述Si(111)‑7×7衬底的制备包括：依次对硅片进行清洗、除气和退火处理，获得Si(111)‑7×7衬底；

所述清洗为依次采用酒精和丙酮进行超声清洗；

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所述除气为在真空度为6.0×10 Torr和温度为400 600℃的条件下保温处理8 12h，然~ ~后冷却至室温；

所述退火采用循环退火处理，循环退火处理为在5 20s内将温度从室温升至1000 1300~ ~℃，退火13 18s，降温至400℃，保持10 15s，再在5 20s内将温度从400℃升至1000 1300℃，~ ~ ~ ~退火13 18s，降温至400℃，保持10 15s，如此循环，共退火5 8次。

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4.根据权利要求1所述的碱金属薄膜的制备方法，其特征在于，所述给镉源除气为在真‑10空度高于6.0×10 Torr的条件下，每间隔10min给镉源升温20℃，使镉源从室温升至60℃，‑10并直至真空度稳定至6.0×10 Torr后，加热25 35min；再在温度为50℃的条件下将镉原子~蒸镀到硅(111)‑7×7衬底的表面；

镉原子蒸镀到硅(111)‑7×7衬底的表面的蒸镀时间为25 30min。

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5.根据权利要求1所述的碱金属薄膜的制备方法，其特征在于，所述给对三联苯分子除‑10气为在真空度高于9.0×10 Torr的条件下，给对三联苯分子加热至40℃，直至真空度稳定‑10至9.0×10 Torr；再在温度为35℃的条件下将对三联苯分子蒸镀到镉(0001)薄膜的表面。

6.根据权利要求1所述的碱金属薄膜的制备方法，其特征在于，所述给碱金属源除气为‑10在真空度高于6.0×10 Torr的条件下，给碱金属源加热至420℃，直至真空度稳定至6.0×‑10

10 Torr；再在温度为400℃的条件下将碱金属原子蒸镀到对三联苯(110)分子薄膜中；

在碱金属原子蒸镀到对三联苯分子(110)薄膜中的过程中，碱金属原子在对三联苯分子(110)薄膜的表面的覆盖度为0.6 1.2ML。

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7.一种如权利要求1至权利要求6任一所述制备方法制得的碱金属薄膜。

8.一种如权利要求1至权利要求6任一所述制备方法制得的碱金属薄膜的应用，其特征在于，所述碱金属薄膜用于太阳能电池和碱金属离子电池中。

9.一种用于实现权利要求1‑6任一的碱金属薄膜的制备方法的装置，其特征在于，包括真空制备腔（1）、样品架（2）、横杆（3）、磁力手柄（4）、直流电源（5）、镉源放置部件（6）、水循环冷却装置（7）、坩埚（8）、加热炉（9）和碱金属源放置部件（11）；所述样品架（2）位于所述真空制备腔（1）的腔体内部，所述磁力手柄（4）和直流电源（5）位于所述真空制备腔（1）的腔体外部，所述镉源放置部件（6）位于所述真空制备腔（1）的底部，且一部分位于所述真空制备腔（1）的腔体内部，另一部分位于所述真空制备腔（1）的腔体外部，所述加热炉（9）位于所述真空制备腔（1）的底部，且一部分位于所述真空制备腔（1）的腔体内部，另一部分位于所述真空制备腔（1）的腔体外部，所述碱金属源放置部件（11）位于所述真空制备腔（1）的侧壁上，且一部分位于所述真空制备腔（1）的腔体内部，另一部分位于所述真空制备腔（1）的腔体外部；所述横杆（3）的一端连接所述样品架（2）、另一端连接所述磁力手柄（4），所述样品架（2）、碱金属源放置部件（11）、镉源放置部件（6）和水循环冷却装置（7）均连接所述直流电源（5），所述坩埚（8）位于所述加热炉（9）中，且所述坩埚（8）位于所述真空制备腔（1）的腔体外部，所述加热炉（9）内置于水循环冷却装置（7）中；

在进行碱金属薄膜制备时，将硅片置于样品架（2）上，通过磁力手柄（4）吸附横杆（3）于内管壁上，带动横杆（3）移动，将装有硅片的样品架（2）送入真空制备腔（1）中，并使样品架（2）位于加热炉（9）的上方，采用直流电源（5）对硅片加热制成硅(111)‑7×7衬底；将镉源装入镉源放置部件（6）中，采用直流电源（5）对镉源加热除气并蒸镀到硅(111)‑7×7衬底的表面，获得镉(0001)薄膜；将对三联苯分子装入坩埚（8）中，再将坩埚（8）置于加热炉（9）中，通过加热炉（9）给对三联苯分子除气并蒸镀到镉(0001)薄膜的表面，获得对三联苯分子(110)薄膜，并同时开启水循环冷却装置（7）；将碱金属源装入碱金属源放置部件（11），采用直流电源（5）对碱金属源除气并蒸镀到对三联苯分子(110)薄膜的表面，获得碱金属掺杂对三联苯分子薄膜；在真空制备腔（1）中对碱金属掺杂对三联苯分子薄膜进行室温退火处理，获得碱金属薄膜。