1.一种应用于晶硅太阳电池的透明导电钝化叠层薄膜的制备方法，其特征在于，由以下步骤制备：在晶硅衬底表面生长一层0‑2 nm的超薄氧化硅层，再采用二乙基锌和超纯水通过原子层沉积方式将氧化锌层沉积在超薄氧化硅层表面，接着通过磁控溅射在氧化锌层表面沉积一层氧化铟锡层，最后再经过200‑400 ℃退火，退火氛围为氮气，退火时间为5‑30 min；

所述应用于晶硅太阳电池的透明导电钝化叠层薄膜由晶硅衬底、超薄氧化硅层、氧化锌层和氧化铟锡层构成，其中，所述超薄氧化硅层生长在所述晶硅衬底表面，所述氧化锌层沉积在所述超薄氧化硅层表面，所述氧化铟锡层覆盖在所述氧化锌层表面；

氧化铟锡层与氧化锌层叠加后的方块电阻小于100 Ω/□。

2.根据权利要求1所述一种应用于晶硅太阳电池的透明导电钝化叠层薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化锌层的厚度为5‑50 nm，氧化锌为掺杂氧化锌，掺杂元素为铝、硼、镓和铟中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述一种应用于晶硅太阳电池的透明导电钝化叠层薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化铟锡层的厚度为10‑75 nm。

4.根据权利要求1所述一种应用于晶硅太阳电池的透明导电钝化叠层薄膜的制备方法，其特征在于，晶硅衬底表面生长超薄氧化硅层之前，经过抛光或制绒处理。

5.根据权利要求1所述一种应用于晶硅太阳电池的透明导电钝化叠层薄膜的制备方法，其特征在于，生长超薄氧化硅层时，采用溶液法、臭氧氧化或热氧化法；采用溶液法时，溶液为盐酸和过氧化氢混合溶液、或者是硝酸溶液。