1.一种低热导率宽中红外波段透过高熵纳米复合陶瓷的制备方法，其特征在于：该复合陶瓷以(Y0.25Gd0.25Yb0.25Lu0.25)2O3和MgO纳米复合粉体为原料制备所得，所述纳米复合粉体中(Y0.25Gd0.25Yb0.25Lu0.25)2O3与MgO体积比1:1；

该复合陶瓷的制备方法，包括以下步骤：

SS1：将(Y0.25Gd0.25Yb0.25Lu0.25)2O3‑MgO高熵纳米复合粉体进行球磨处理，球磨时间60h，球磨后的浆料放入烘箱中烘干，过筛处理后得到混合粉体；

SS2：将步骤SS1中合成的高熵纳米复合粉体在50～100MPa条件下采用轴向单向加压方式干压成型，保压时间1～2min，得到成型坯体；

SS3：对步骤SS2得到的成型坯体干燥，并升温进行烧结，再经过空气或氧气气氛进行退火处理，退火温度为1000～1250℃，保温时间为12‑36h，最终获得低热导率宽中红外波段透过高熵纳米复合陶瓷；

所述(Y0.25Gd0.25Yb0.25Lu0.25)2O3‑MgO高熵纳米复合粉体的制备方法，具体步骤如下：

3+ 3+ 3+ 3+ 2+

S1：配制包含Y 、Gd 、Yb 、Lu 、Mg 的金属离子硝酸溶液，将五者按照最终产物(Y0.25Gd0.25Yb0.25Lu0.25)2O3与MgO体积比1:1进行混合；

S2：将步骤S1配制好的混合溶液进行加热搅拌，使其成为无色透明粘稠状溶液；

S3：对步骤S2得到的无色透明粘稠状溶液，进行烘干处理得到前驱体粉末，最后对其进行煅烧处理，得到(Y0.25Gd0.25Yb0.25Lu0.25)2O3‑MgO高熵纳米复合粉体。

2.根据权利要求1所述低热导率宽中红外波段透过高熵纳米复合陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤SS3中，所述烧结包括有热压烧结、真空热压烧结、放电等离子烧结或热等静压烧结。

3.根据权利要求2所述低热导率宽中红外波段透过高熵纳米复合陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的热压烧结工艺中，施加的压力为50MPa，烧结温度为1400℃，保温时间为1h；

所述的真空热压烧结工艺中，施加的压力为70MPa，烧结温度为1350℃，保温时间为‑3

0.5h，真空度为10 Pa；

所述的放电等离子烧结工艺中，施加的压力为75MPa，烧结温度为1300℃，保温时间为

5min；

所述的热等静压烧结工艺中，施加的压力为200MPa，烧结温度为1250℃，保温时间为

1h。