1.一种半导体光纤耦合激光器，包括有芯片模块和镜模块，其特征是：所述镜模块包括有第一慢轴准直镜(5)和快轴压缩镜组，所述芯片模块包括有第一strip镜(4)、第一芯片组(3)和第二芯片组(2)，所述第一芯片组(3)与第二芯片组(2)呈a角度安装，所述第二芯片组(2)与第一strip镜(4)呈b角度安装；所述第一芯片组(3)所发出的光束通过第一strip镜(4)沿第一方向透射而出，所述第二芯片组(2)所发出的光束通过第一strip镜(4)后沿第一方向反射而出，所述慢轴准直镜突出面远离芯片模块设置，所述快轴压缩镜组与慢轴准直镜突出面相对设置。

2.根据权利要求1所述的一种半导体光纤耦合激光器，其特征是：所述第一芯片组(3)与第二芯片组(2)均包括有芯片阵列区、第二strip镜(24)、第二慢轴准直镜(25)、凸面快轴压缩镜(26)和凹面快轴压缩镜(27)；所述第二慢轴准直镜(25)、凸面快轴压缩镜(26)和凹面快轴压缩镜(27)依次远离芯片阵列区排列；

所述芯片阵列区包括第一芯片阵列(21)和第二芯片阵列(23)，所述第二strip镜(24)设置在第一芯片阵列(21)和第二芯片阵列(23)中间，所述凸面快轴压缩镜(26)突出面朝向第二慢轴准直镜(25)设置，所述凹面快轴压缩镜(27)平面区域朝向凸面快轴压缩镜(26)平面区域设置，使光线经过凸面快轴压缩镜(26)之后照射至凹面快轴压缩镜(27)之上。

3.根据权利要求2所述的一种半导体光纤耦合激光器，其特征是：所述第一芯片阵列(21)与第二芯片阵列(23)均包括有芯片块(28)，所述芯片块(28)并列排列，所述芯片块(28)与芯片块(28)之间设有芯片块(28)间隙，所述第一芯片阵列(21)的芯片块(28)与第二芯片阵列(23)的芯片间隙相对应。

4.根据权利要求3所述的一种半导体光纤耦合激光器，其特征是：所述芯片块(28)包括有底层(213)、顶层(211)、基底(212)、激光芯片(214)；所述顶层(211)呈倒“U”型包裹基底(212)一端，所述底层(213)设置在基底(212)远离顶层(211)的一端，所述顶层(211)侧面镀有金锡层(214)，所述金锡层(214)连接于激光芯片(214)正极面，所述激光芯片(214)负极面安装有铟层(215)。

5.根据权利要求3所述的一种半导体光纤耦合激光器，其特征是：所述底层(213)和顶层(211)材质为紫铜，所述基底(212)材质为氮化铝。

6.根据权利要求3所述的一种半导体光纤耦合激光器，其特征是：所述第一芯片阵列(21)和第二芯片阵列(23)表面还设有第一FAC镜(22)，所述第一FAC镜(22)平面安装在芯片块(28)间隙处。

7.根据权利要求2所述的一种半导体光纤耦合激光器，其特征是：所述第一strip镜(4)和第二strip镜(24)均包括有反射膜(42)和透视膜(41)，所述反射膜(42)和透视膜(41)间隔安装于第一strip镜(4)和第二strip镜(24)上。

8.根据权利要求1所述的一种半导体光纤耦合激光器，其特征是：所述快轴压缩镜组分为第二快轴压缩镜(6)和第三快轴压缩镜(7)，所述快轴压缩镜组按第二快轴压缩镜(6)、第三快轴压缩镜(7)的顺序依次远离第一慢轴准直镜(5)突出面排列。

9.根据权利要求1所述的一种半导体光纤耦合激光器，其特征是：所述第一芯片组(3)与第二芯片组(2)在接近第一strip镜(4)处还均设置有第二FAC镜(1)。