1.一种基于马赫‑曾德尔干涉仪和非易失性相变材料的光子矩阵乘法器，其特征在于，包括：设置的光源、带非易失性变相材料的马赫‑曾德尔干涉仪、激光探测器；

所述带非易失性变相材料的马赫‑曾德尔干涉仪，包括：第一马赫‑曾德尔干涉仪、第二马赫‑曾德尔干涉仪、第三马赫‑曾德尔干涉仪、第四马赫‑曾德尔干涉仪、第五马赫‑曾德尔干涉仪、第六马赫‑曾德尔干涉仪；

所述设置的光源与所述第一马赫‑曾德尔干涉仪和所述第二马赫‑曾德尔干涉仪输入端口连接；

所述第一马赫‑曾德尔干涉仪的上下两个输出端口分别与所述第四马赫‑曾德尔干涉仪的输入上端口和所述第三马赫‑曾德尔干涉仪的输入上端口连接；

所述第二马赫‑曾德尔干涉仪的上下两个输出端口分别与所述第三马赫‑曾德尔干涉仪的输入下端口和所述第五马赫‑曾德尔干涉仪的输入下端口连接；

所述第三马赫‑曾德尔干涉仪的上下两个输出端口分别与所述第四马赫‑曾德尔干涉仪的输入下端口和所述第五马赫‑曾德尔干涉仪的输入上端口连接；

所述第四马赫‑曾德尔干涉仪的上下两个输出端口分别与所述激光探测器和所述第六马赫‑曾德尔干涉仪的输入上端口连接；

所述第五马赫‑曾德尔干涉仪的上下两个输出端口分别与所述第六马赫‑曾德尔干涉仪的输入下端口和所述激光探测器连接；

所述第六马赫‑曾德尔干涉仪的输出端口与所述激光探测器连接；

所述带非易失性变相材料的马赫‑曾德尔干涉仪由第一耦合器、第二耦合器、内部NOPS、外部NOPS组成；所述第一耦合器连接所述内部NOPS，所述内部NOPS连接第二耦合器，所述第二耦合器连接外部NOPS；

所述内部NOPS和外部NOPS上臂和下臂的Si波导上放置的都是非易失性变相材料Sb2Se3。

2.根据权利要求1所述的一种基于马赫‑曾德尔干涉仪和非易失性相变材料的光子矩阵乘法器，其特征在于，所述第一马赫‑曾德尔干涉仪、第二马赫‑曾德尔干涉仪、第三马赫‑曾德尔干涉仪、第四马赫‑曾德尔干涉仪、第五马赫‑曾德尔干涉仪、第六马赫‑曾德尔干涉仪为矩阵排列。

3.根据权利要求1所述的一种基于马赫‑曾德尔干涉仪和非易失性相变材料的光子矩阵乘法器，其特征在于，所述内部NOPS和外部NOPS下臂的Si波导上放置的为完全非晶体的Sb2Se3，上臂的Si波导上放置Sb2Se3结晶面积比率定义为上结晶比率UCR，UCR等于上臂的结晶的Sb2Se3的长度与下臂等长完全非晶体的Sb2Se3长度的比值，UCR在0和1之间变化，导致相移的变化，当UCR等于1时，表示内部移相器的上臂Sb2Se3是完全结晶的状态。

4.根据权利要求3所述的一种基于马赫‑曾德尔干涉仪和非易失性相变材料的光子矩阵乘法器，其特征在于，上臂的Si波导上放置Sb2Se3通过低功耗的纳秒激光器实现结晶与非结晶状态之间的切换。