1.一种适用于钙钛矿/TOPCon叠层电池的TOPCon底电池结构优化设计方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用含氢氟酸的溶液对n型硅片进行清洗，去除硅片表面氧化层；

(2)将步骤(1)所得n型硅片放入碱液中依次完成湿化学刻蚀法减薄处理和双面制绒工序；

(3)在步骤(2)所得n型硅片正面进行重度硼扩散，形成重掺杂硼发射极；

(4)在步骤(3)所得n型硅片背面依次制备超薄隧穿氧化硅层和多晶硅层，并对多晶硅层进行磷扩散掺杂，形成掺杂多晶硅层；

(5)在步骤(4)所得n型硅片正面和背面沉积减反射层；

(6)在步骤(5)所得n型硅片正面和背面丝网印刷金属电极，得到n型TOPCon电池；

(7)将步骤(6)所得n型TOPCon电池和钙钛矿电池进行封装得到四端钙钛矿/TOPCon叠层电池。

2.根据权利要求1所述的TOPCon底电池结构优化设计方法，其特征在于，步骤(2)中，所述碱液为NaOH溶液、KOH溶液或四甲基氢氧化铵溶液。

3.根据权利要求2所述的TOPCon底电池结构优化设计方法，其特征在于，步骤(2)中，在湿化学刻蚀法减薄处理和双面制绒两道工序下碱液的浓度、处理温度、处理时间有所变化。

4.根据权利要求3所述的TOPCon底电池结构优化设计方法，其特征在于，步骤(2)中，湿化学刻蚀法减薄处理中，碱液的浓度为10～40％，碱液的腐蚀温度为60～90℃，碱液腐蚀的时间为10～90分钟，湿化学刻蚀法处理后的n型硅片的厚度控制在100～140μm；双面制绒工艺中，碱液的浓度为3～10％，碱液的腐蚀温度为60～80℃，碱液腐蚀的时间为30～300秒，双面制绒后n型硅片正反的反射率均在8～15％。

5.根据权利要求4所述的TOPCon底电池结构优化设计方法，其特征在于，步骤(2)中，碱液腐蚀减薄n型硅片的过程中伴随有超声过程。

6.根据权利要求1所述的TOPCon底电池结构优化设计方法，其特征在于，步骤(3)包括：步骤(3.1)，通过热扩散的方法在n型硅片正面生长BSG层，其中，硼源为BCl3或BBr3，硼源流量为100～400sccm，硼扩散掺杂处理的温度为850～1200℃，硼扩散掺杂处理的时间为

1～10小时；

步骤(3.2)，通过激光处理促进重掺杂硼发射极的制备，其中，激光波长为300‑1000nm，激光功率为75％‑90％，扫描速度为10‑20m/s，激光光斑直径为20‑30μm，激光处理后结深为

0.5‑20μm。

7.根据权利要求1所述的TOPCon底电池结构优化设计方法，其特征在于，步骤(6)中，所述丝网印刷金属电极时，在TOPCon电池正面电极栅线为少主栅/无主栅设计工艺。