1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括衬底、第一电极、绝缘结构、金属保护层、电流阻挡层、金属反射层、第一氮化镓层、多量子阱层、第二氮化镓层以及第二电极，其中，所述绝缘结构包括绝缘环柱以及绝缘层，所述第一电极包括第一电极柱以及第一电极层，所述电流阻挡层的表面具有多个不连续的镂空的圆孔结构，所述第一电极层的一侧与所述衬底的一侧接触，所述第一电极层的另一侧与所述第一电极柱的一侧以及所述绝缘层的一侧接触，所述绝缘层的另一侧与所述绝缘环柱的一侧以及所述金属保护层的一侧接触，所述绝缘环柱以及所述绝缘层包绕所述第一电极柱，所述金属保护层包绕所述电流阻挡层以及设置在所述电流阻挡层上的所述金属反射层，所述金属保护层的另一侧与所述金属反射层远离所述衬底的一侧平齐，所述第一氮化镓层、所述多量子阱层以及所述第二氮化镓层依次层叠设置在所述金属反射层远离衬底的一侧上，所述第一氮化镓层靠近衬底的一侧与所述第二电极靠近所述衬底的一侧平齐，且与所述金属保护层的另一侧接触，所述第一电极柱的另一侧以及所述绝缘环柱的另一侧在所述第二氮化镓层中。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括在所述衬底与所述第一电极之间依次层叠设置的阻挡层、键合层以及粘结层，所述粘结层的一侧与所述衬底的一侧接触，所述粘结层的另一侧与所述键合层的一侧接触，所述键合层的另一侧与所述阻挡层的一侧接触，所述阻挡层的另一侧与所述第一电极层的一侧接触。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括设置在所述第二氮化镓层上的钝化层，所述钝化层包绕所述第二氮化镓层、所述多量子阱层以及第一氮化镓层。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述电流阻挡层上相邻的两个圆孔圆心间的距离为15μm～50μm。

5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述电流阻挡层上的圆孔结构的半径为3μm～8μm。

6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述金属反射层的厚度为100nm～1200nm。

7.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一氮化镓层的厚度为0.01μm～3μm。

8.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二氮化镓层的厚度为0.01μm～6μm。

9.一种发光器件，其特征在于，包含如权利要求1～8任一项所述的发光二极管结构。

10.一种显示装置，其特征在于，包括线路板以及如权利要求9所述的发光器件，所述发光器件通过所述发光二极管结构的第一电极和第二电极与所述线路板电连接。