1.一种基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，其特征在于，所述Micro LED的外延结构的Si基外延从下到上依次包括：Si衬底、单晶ALN缓冲层、ALGaN应力调节层、低掺杂Si浓度的NGaN层、n型AlGan层、高掺杂Si浓度NGan层、MQW层、电子阻挡层、PGan层和接触层；其中，MQW层为至少一个GaN/AlGaN/InGaN层。

2.如权利要求1所述的基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，其特征在于，所述单晶AlN缓冲层的生长厚度为300～800nm。

3.如权利要求1所述的基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，其特征在于，所述PGan层为Mg掺杂的p‑AlGaN层，厚度为30～150nn。

4.如权利要求1所述的基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，其特征在于，所述ALGaN应力调节层的厚度为1.1～1.5μm。

5.如权利要求1所述的基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，其特征在于，所述MQW层为5～10个GaN/AlGaN/InGaN层；在所述MQW层中，所述GaN为势垒，厚度为5～10nm；所述AlGaN为势垒，厚度为3～5nm；所述InGaN为势阱，厚度为2～4nm。

6.如权利要求1所述的基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层为pGaN层、pAlGaN层、pAlInGaN层和pAlN层中的一种或任意两种以上的组合层或任意一种的超晶格结构或任意两种以上超晶格结构的组合；所述电子阻挡层的厚度为30～

80nm。

7.如权利要求1所述的基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，其特征在于，所述低掺杂Si浓度的NGaN层的厚度为200～300nm。

8.如权利要求1所述的基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，其特征在于，所述高掺杂Si浓度的NGaN层的厚度为2～3μm。

9.如权利要求1所述的基于Si基GAN的Micro LED的外延结构，其特征在于，所述n型AlGaN层的厚度为30～50nm。