1.一种桥式一维/二维液晶取向的芳纶/石墨/碳化硅复合导热膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)分别称取导热填料一维碳化硅纳米线和导热填料二维石墨片，在超声条件下均匀分散在浓硫酸中获得分散液Ⅰ；

(2)在10℃～25℃条件下将芳纶溶解在浓硫酸中获得液晶溶液Ⅱ；

(3)将分散液Ⅰ和液晶溶液Ⅱ充分均匀混合，获得芳纶/石墨/碳化硅的液晶混合物Ⅲ，采用机械剪切方式将液晶混合物Ⅲ均匀涂覆于玻璃基板，实现碳化硅和石墨形成桥式一维/二维液晶取向导热网络；

(4)将涂覆有液晶混合物Ⅲ的玻璃基板迅速放入反向溶剂中，经反相分离，获得具有桥式一维/二维液晶取向的芳纶/石墨/碳化硅复合导热膜。

2.根据权利要求1所述的一种桥式一维/二维液晶取向的芳纶/石墨/碳化硅复合导热膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中导热填料和浓硫酸的质量比为20：500，导热填料中一维碳化硅纳米线和二维石墨片的质量比为0‑8：10‑2。

3.根据权利要求1所述的一种桥式一维/二维液晶取向的芳纶/石墨/碳化硅复合导热膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述二维石墨片的碳含量≥99wt％，氧含量≤

0.01wt％，石墨薄片直径为10±0.5μm，一维碳化硅纳米线的纯度是98％，直径是100nm～

600nm，长度是50μm～100μm。

4.根据权利要求1所述的一种桥式一维/二维液晶取向的芳纶/石墨/碳化硅复合导热膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述芳纶是采用对苯二胺与对苯二甲酰氯缩合聚合而成的全对位聚芳酰胺。

5.根据权利要求1所述的一种桥式一维/二维液晶取向的芳纶/石墨/碳化硅复合导热膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述芳纶和浓硫酸的质量比为30：500。

6.根据权利要求1所述的一种桥式一维/二维液晶取向的芳纶/石墨/碳化硅复合导热膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述液晶混合物Ⅲ中导热填料、芳纶、浓硫酸的质量比为20：30：1000。

7.根据权利要求1所述的一种桥式一维/二维液晶取向的芳纶/石墨/碳化硅复合导热膜的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述反向溶剂为去离子水，在去离子水中进行反相分离1.5～2小时。

8.权利要求1至7任一项所述的制备方法制得的桥式一维/二维液晶取向的芳纶/石墨/碳化硅复合导热膜。

9.权利要求8所述的桥式一维/二维液晶取向的芳纶/石墨/碳化硅复合导热膜在电子器件热管理中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述电子器件为手机CPU。