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专利号: 2022115439571
申请人: 中南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-05-22
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种高强塑多水溶通道的镁合金,其特征在于,所述镁合金按照质量百分含量计包括以下组分:总含量为1%~4%的X元素、总含量为0.1%~0.4%的Y元素、总含量为0~2%的Z元素,余量为Mg元素;所述X元素为Nd元素、Sm元素、Zn元素中的至少一种;所述Y元素为Cu元素、Ni元素、Sr元素中的至少一种,所述Z元素为Al元素和Sn元素中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的高强塑多水溶通道的镁合金,其特征在于,当X元素不包含Zn元素时,所述X元素的总含量为1%~3%,所述Z元素的总含量为1%~2%。

3.根据权利要求1所述的高强塑多水溶通道的镁合金,其特征在于,当X元素只包含Sm元素时,所述Sm元素的含量为2%~3%,所述Z元素的总含量为1%~2%。

4.根据权利要求1所述的高强塑多水溶通道的镁合金,其特征在于,当X元素只包含Zn元素时,所述Zn元素的含量为2%~4%,所述Z元素的总含量为0~1%。

5.根据权利要求1所述的高强塑多水溶通道的镁合金,其特征在于,当Y元素为Cu、Ni、Sr中的任意一种时,所述Y元素的含量为0.2%~0.4%。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的高强塑多水溶通道的镁合金,其特征在于,所述镁合金的晶界含由Y元素组成的MgY相;

所述镁合金中40%以上数量的晶粒内部含孪晶。

7.根据权利要求6所述的高强塑多水溶通道的镁合金,其特征在于,所述镁合金中,

50%以上数量的晶粒内部含孪晶,且50%以上数量的孪晶具有孪晶界无析出带。

8.一种如权利要求1~7中任一项所述的高强塑多水溶通道的镁合金的制备方法,其特征在于,采用以下任意一种方式制备高强塑多水溶通道的镁合金;

方式一,包括以下步骤:

S1、按照镁合金中各组分的质量百分比,称取所需原材料,混合均匀、熔化、精炼、浇铸,获得铸锭;

S2、对铸锭进行均匀化处理;所述均匀化处理的温度为400℃~490℃;所述均匀化处理的时间为6小时~48小时;

S3、对均匀化处理的材料进行高温变形;所述高温变形的温度为300℃~450℃,真应变为0.5~1.2;

S4、对高温变形后的材料进行低温变形;所述低温变形的温度为20℃~150℃,真应变为0.02~0.2;

S5、对低温变形后的材料进行时效处理,得到高强塑多水溶通道的镁合金;所述时效处理的温度为150℃~220℃;所述时效处理的时间为6小时~60小时;

方式二,包括以下步骤:

(1)按照镁合金中各组分的质量百分比,称取所需原材料,混合均匀、熔化、精炼、浇铸,获得铸锭;

(2)对铸锭进行均匀化处理;所述均匀化处理的温度为400℃~490℃;所述均匀化处理的时间为6小时~48小时;

(3)对均匀化处理的材料进行高温变形;所述高温变形的温度为300℃~450℃,真应变为0.5~1.2;

(4)对高温变形后的材料进行低温变形;所述低温变形的温度为20℃~150℃,真应变为0.02~0.2;

(5)对低温变形后的材料进行蠕变时效处理,得到高强塑多水溶通道的镁合金;所述蠕变时效处理的温度为150℃~220℃,真应变为0.1~0.6。

9.根据权利要求8所述的高强塑多水溶通道的镁合金的制备方法,其特征在于,采用方式一制备高强塑多水溶通道的镁合金时,当X元素不包含Zn元素时,S2步骤中的均匀化处理的温度为440℃~490℃,S3步骤中的高温变形的温度为390℃~450℃;当X元素只包含Zn元素时,S2步骤中的均匀化处理的温度为400℃~440℃,S3步骤中的高温变形的温度为300℃~390℃。

10.根据权利要求8所述的高强塑多水溶通道的镁合金的制备方法,其特征在于,采用方式二制备高强塑多水溶通道的镁合金时,当X元素不包含Zn元素时,(2)步骤中的均匀化处理的温度为440℃~490℃,(3)步骤中的高温变形的温度为390℃~450℃;当X元素只包含Zn元素时,(2)步骤中的均匀化处理的温度为400℃~440℃,(3)步骤中的高温变形的温度为300℃~390℃。