1.一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，包括传感器芯片（1），以及用于安装传感器芯片的外壳（500），以及将传感器芯片（1）封装在外壳内的上壳（400）；其特征在于：所述传感器芯片（1）包括硼硅感压膜(11)、硅基底(12)和玻璃基底(13)，三者至上而下依次连接；

所述硅基底(12)的一面设有腔体，硅基底(12)将设有腔体一面与硼硅感压膜(11)直接键合，并形成真空参考腔（123）；

所述真空参考腔内（123）设有抽气孔（121），通过硅基底(12)的另一面与玻璃基底(13)阳极键合封堵抽气孔（121），真空参考腔（123）形成高真空；

所述真空参考腔（123）内的下端面设有下电极（124），硼硅感压膜(11)的下端面设有绝缘层（114）；所述绝缘层（114）、下电极（124）与硼硅感压膜(11)构成电容结构；

所述硼硅感压膜(11)上设有上引线电极（112）；所述硅基底(12)上在设有下引线电极（122）。

2.根据权利要求1所述的一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，其特征在于：所述硼硅感压膜(11)上设有保护环（113），保护环（113）将硼硅感压膜(11)与硅基底(12)分开。

3.根据权利要求1所述的一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，其特征在于：所述硼硅感压膜(11) 的基底材料为硼掺杂的晶圆级P型硅，电阻率＜0.006Ω·cm。

4.根据权利要求1所述的一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，其特征在于：所述硼硅感压膜(11)上设有上引线电极槽和下引线电极槽（111）；

所述上引线电极（112）通过上引线电极槽引出，下引线电极（122）通过下引线电极槽（111）引出；所述上引线电极（112）和下引线电极（122）用于引出压力检测信号。

5.根据权利要求1所述的一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，其特征在于：所述真空参考腔(123)的深度小于硼硅感压膜(11)测量范围的最大挠度，真空参考腔(123)的底面溅射小于腔体底面积的下电极(124)，溅射的电极材料为铝。

6.根据权利要求1所述的一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，其特征在于：所述真空参考腔（123）为圆形，直径为2500μm。

7.根据权利要求1所述的一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，其特征在于：所述抽气孔(121)使用湿法腐蚀的方法制作，抽气孔(121)结构为梯形；所述抽气孔(121)的上表面连接真空参考腔（123），下表面连接玻璃基底(13)。

8.根据权利要求1所述的一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，其特征在于：所述外壳内设有前级电路板（700），以及用于将前级电路板（700）固定在外壳内的支撑柱（502）；

所述传感器芯片（1）通过铝丝压焊在前级电路板（700）上；

所述外壳（500）上设有用于引出电极的电极引线孔（501），电极引线孔（501）设于外壳（500）的侧面。

9.根据权利要求1所述的一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，其特征在于：所述上壳（400）上设有用于测量进气孔（401）。