1.一种Ni‑Se‑C析氢电极，其特征在于：由导电基体以及电沉积在导电基体表面的Ni‑Se‑C镀层组成。

2.根据权利要求1所述的Ni‑Se‑C析氢电极，其特征在于：所述Ni‑Se‑C镀层中，各元素的质量百分含量为：40～60％Ni、40～60％Se以及余量为C。

3.根据权利要求1所述的Ni‑Se‑C析氢电极，其特征在于：所述导电基体为泡沫镍基体。

4.权利要求1所述的Ni‑Se‑C析氢电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)先配制电镀水溶液，电镀水溶液通过往水中加入镍源、硒源、碳源、缓冲剂和导电剂配制而成；

(2)以预处理后的导电基体作为工作电极、石墨片作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极，采用电沉积法在电镀水溶液中进行电沉积，在导电基体表面得到Ni‑Se‑C镀层。

5.根据权利要求4所述的Ni‑Se‑C析氢电极的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述镍源为水溶性镍盐中的一种或几种的混合物；所述硒源为二氧化硒、亚硒酸钠、硒酸钠中的一种或几种的混合物；所述碳源为精氨酸、赖氨酸或组氨酸中的一种或几种的混合物。

6.根据权利要求4所述的Ni‑Se‑C析氢电极的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述缓冲剂为硼酸或氯化铵。

7.根据权利要求4所述的Ni‑Se‑C析氢电极的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述导电剂为NaCl、LiCl或KCl中的一种或几种的混合物。

8.根据权利要求4所述的Ni‑Se‑C析氢电极的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，电镀水溶液中，镍源的质量浓度为20～40g/L，硒源的质量浓度为5～20g/L，碳源的质量浓度为2～5g/L，缓冲剂的质量浓度为20～60g/L，导电剂的质量浓度为1～10g/L。

9.根据权利要求4所述的Ni‑Se‑C析氢电极的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，电沉积过程中，电镀水溶液的温度为25～50℃。

10.根据权利要求4所述的Ni‑Se‑C析氢电极的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，电沉积中循环电位为‑2～0.4V；扫描速度2～10mV/s；循环圈数为3～11。