1.一种基于WO3/Mo:BiVO4异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，所述传感器以WO3/Mo:BiVO4异质结电极作为工作电极，所述WO3/Mo:BiVO4电极包括FTO导电基底及复合在FTO表面的WO3/Mo:BiVO4薄膜，所述WO3/Mo:BiVO4薄膜包括以纳米片阵列方式垂直排布在导电基底上的WO3层和以颗粒形式紧密覆盖在WO3层的Mo:BiVO4层。

2.根据权利要求1所述的一种基于WO3/Mo:BiVO4异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，所述WO3/Mo:BiVO4薄膜的厚度为700‑1000nm，优选为850‑950nm，Mo:BiVO4颗粒的粒径为50~200nm，合成Mo掺杂的BiVO4薄膜的前驱体溶液中：Bi:(V+Mo)元素摩尔比为1:1，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为0.1% 10%，优选的，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为1% 5%，更~ ~优选的，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为3%。

3.根据权利要求2所述的一种基于WO3/Mo:BiVO4异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，覆盖在WO3层的Mo:BiVO4层是通过旋涂方式制得，旋涂次数为6~12次，优选为6‑10次，更优选为9次。

4.根据权利要求1~3任一所述的一种基于WO3/Mo:BiVO4异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，所述WO3/Mo:BiVO4异质结电极的制备方法包括以下步骤：（1）制备WO3纳米片阵列薄膜电极：在FTO导电玻璃的导电面制备WO3纳米片阵列薄膜电极；

（2）制备合成Mo掺杂的BiVO4薄膜的前驱体溶液：将五水合硝酸铋溶于冰乙酸中，将乙酰丙酮氧钒和乙酰丙酮钼分别溶于乙酰丙酮中，然后将上述三种溶液混合，得到合成Mo掺杂的BiVO4薄膜的前驱体溶液；

其中，前驱液中Bi:(V+Mo)元素摩尔比为1:1，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为0.1% 10%，优选~的，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为1% 5%，更优选的，Mo:(V+Mo)元素摩尔比为3%；

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（3）制备WO3/Mo:BiVO4异质结电极：将步骤（2）所得前驱体液旋涂在步骤（1）制得的WO3纳米片阵列薄膜电极上，干燥，退火得到WO3/Mo:BiVO4异质结；

优选的，旋涂次数为6 12次，优选为6‑10次，更优选为9次。

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5. 根据权利要求4所述的一种基于WO3/Mo:BiVO4异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，按照专利CN 105384358B记载的方法在FTO导电玻璃的导电面制备WO3纳米片阵列薄膜电极。

6.根据权利要求4所述的一种基于WO3/Mo:BiVO4异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，退火的温度为400 600℃，退火时间为1 5h；更优选的，退火的温度为~ ~

400 500℃，退火时间为1 2h。

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7.根据权利要求4所述的一种基于WO3/Mo:BiVO4异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器，其特征在于，旋涂步骤为：旋涂液用量为10 20μL/次，旋涂转速为：低速500 600r/~ ~min，10s，高速1000 1500r/min，10s。

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8.一种基于WO3/Mo:BiVO4异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器的检测方法，其特征在于，它包括以下步骤：将权利要求1~7任一所述的基于WO3/Mo:BiVO4异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器中WO3/Mo:BiVO4异质结电极作为工作电极，Pt片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极组成三电极系统，并将其置于含过氧化氢的电解质溶液中，然后将无酶过氧化氢光电化学传感器与电化学工作站连接，设定反应电位，采用电流‑时间技术，在光照射下采集过氧化氢被氧化的光电信号，通过光电信号的变化分析过氧化氢浓度。

9. 根据权利要求8所述的基于WO3/Mo:BiVO4异质结光阳极无酶过氧化氢光电化学传感器的检测方法，其特征在于，过氧化氢的浓度为0.1 2.0 mmol/L。

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