1.一种纳米相增强的TiNiCuHfZr高熵形状记忆合金，其特征在于，所述合金的原料包括按原子百分比计以下化学成分：Ti 30% 39%、Ni 44%、Hf 10%、Cu 6%、Zr 1% 10%。

~ ~

2.根据权利要求1所述纳米相增强的TiNiCuHfZr高熵形状记忆合金，其特征在于， 所述合金的组织组成包括B2奥氏体基体、纳米级的Ti2Ni类增强相，其中纳米级的Ti2Ni类增强相的尺寸为40‑150纳米，数量为5‑50个每平方微米。

3.一种纳米相增强的TiNiCuHfZr高熵形状记忆合金的制作方法，其特征在于，所述合金制备方法包括以下步骤：

1）配料与熔炼：将原料Ti、Ni、Hf、Cu、Zr按照原子百分比配好，放入真空电弧熔炼炉中，抽真空后充入氩气防止合金熔炼过程中氧化，在熔融状态下反复熔炼，使合金成分混合均匀，得到铸态TiNiCuHfZr高熵形状记忆合金；

2）固溶处理：将步骤1）得到的铸态TiNiCuHfZr高熵形状记忆合金，放入电阻炉内，进行固溶处理，并在水中淬火冷却；

3）一级时效处理：将步骤2）得到的固溶处理的TiNiCuHfZr高熵形状记忆合金，放入电阻炉内，进行一级时效处理，随后空冷，得到一级时效处理的纳米相增强的高熵形状记忆合金；

4）二级时效处理：将步骤3）得到的经一级时效处理的纳米相增强的高熵形状记忆合金，放入电阻炉内，进行二级时效处理，随后空冷，得到二级时效处理的纳米相增强的高熵形状记忆合金。

4.根据权利要求3所述制作方法，其特征在于，所述步骤1）中，真空电弧熔炼炉的真空‑3度小于10 Pa，充入氩气后熔炼炉内压强为‑0.06‑0.08MPa，熔炼电流为200‑340A；反复再熔炼次数为5次以上，每遍在熔融状态下持续1‑2分钟。

5.根据权利要求3所述制作方法，其特征在于，所述步骤2）中，固溶处理温度为800‑900℃，保温时间30‑50分钟。

6.根据权利要求3所述制作方法，其特征在于，所述步骤3）中，一级时效处理的温度为

300‑350℃，保温时间为120‑180分钟。

7.根据权利要求6所述制作方法，其特征在于，所述步骤3）中，一级时效处理过程中合金随炉升温且升温速率为10‑15℃/min。

8.根据权利要求2所述制作方法，其特征在于，所述步骤4）中，二级时效处理的温度为

400‑450℃，保温时间为120‑180分钟。

9.根据权利要求7所述制作方法，其特征在于，所述步骤4）中，二级时效处理过程中合金随炉升温且升温速率为10‑15℃/min。

10.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在经过步骤3）所述的一级时效处理后，合金中析出纳米增强相，数量为5‑10个每平方微米，尺寸为40‑80纳米；在经过步骤4）所述的二级时效处理后，合金中析出的纳米级增强相，数量为40‑50个每平方微米，尺寸为80‑

150纳米。