1.一种六轴数控抛光机加工分析控制管理系统,其特征在于:该系统包括:待抛光异形工件信息获取模块,用于获取指定六轴数控抛光机中当前待抛光异形工件各待抛光面对应的基本信息,并将各待抛光面按照预设顺序依次编号为1,2,...,i,...n,其中,基本信息具体包括面积、目标抛光厚度、目标抛光粗糙度和抛光联动运转轴数目;
待抛光异形工件抛光因素采集模块,用于对当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光因素进行采集;
待抛光异形工件抛光时长解析模块,用于从当前待抛光异形工件各待抛光面的抛光因素中提取粗糙度,基于各待抛光面对应的面积、目标抛光厚度以及目标抛光粗糙度,对各待抛光面对应的抛光时长进行解析,得到各待抛光面对应的抛光时长干扰指数,记为βi,i表示为待抛光面编号,i=1,2,......n;
待抛光异形工件抛光难度解析模块,用于从当前待抛光异形工件各待抛光面的抛光因素中提取规则度、粗糙均匀度和相对位置,对各待抛光面对应的抛光难度进行解析,得到各待抛光面对应的抛光难度评估指数,记为δi;
待抛光异形工件抛光环境解析模块,用于对当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光环境干扰指数进行解析,得到各待抛光面对应的抛光环境干扰指数,记为φi;
待抛光异形工件抛光顺序解析模块,用于对当前待抛光异形工件对应的抛光顺序进行解析,得到当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光顺序,并发送至指定六轴数控抛光机对应的加工控制终端;
所述对当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光因素进行采集,具体采集过程包括以下步骤:通过指定六轴数控抛光机所在作业区域内的三维摄像头对当前待抛光异形工件进行三维图像采集,从中识别出当前待抛光异形工件中各待抛光面对应的相对位置和轮廓,其中,相对位置包括外部、内部和边角;
将当前待抛光异形工件中各待抛光面对应的轮廓导入设定的规则度评估模型中,得到当前待抛光异形工件中各待抛光面对应的规则度;
将当前待抛光异形工件中各待抛光面按照平面网格式的划分方式划分为各子抛光面,通过粗糙度监测仪对各待抛光面中各子抛光面的粗糙度进行监测,从各待抛光面中各子抛光面对应的粗糙度中筛选出最大粗糙度和最小粗糙度,并将最大粗糙度作为各待抛光面的粗糙度,同时分析得出各待抛光面对应的粗糙均匀度;
将相对位置、规则度、粗糙度以及粗糙均匀度作为当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光因素;
所述对各待抛光面对应的抛光时长进行解析,具体解析过程包括以下步骤:
将当前待抛光异形工件各待抛光面对应的面积、目标抛光厚度和目标抛光粗糙度进行均值处理,得到当前待抛光异形工件待抛光面对应的平均面积、平均目标抛光厚度和平均目标抛光粗糙度,由此设置各待抛光面对应的抛光时长权重因子,记为εi;
将当前待抛光异形工件各待抛光面对应的粗糙度与其目标抛光粗糙度进行作差,得到当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光粗糙度差;
将当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光粗糙度差与设定的各抛光粗糙度差对应的预计抛光时长进行对比,得到当前待抛光异形工件各待抛光面对应的预计抛光时长;
将当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光联动运转轴数目记为Mi,依据分析公式分析得到各待抛光面对应的抛光时长干扰i
指数βi,e为自然常数,T预计表示为当前待抛光异形工件中第i个待抛光面对应的预计抛光时长,ΔT为设定的参考抛光时长差,μ1、μ2分别表示为设定的抛光时长、抛光联动运转轴数目对应的占比权重,n表示为待抛光面数目;
所述各待抛光面进行抛光时长权重因子,具体设置公式为
εi表示第i个待抛光面对应的抛光时长权重因子,Si、Hi、Ci
分别表示为设定的第i个待抛光面对应的面积、目标抛光厚度、目标抛光粗糙度,分别表示为当前待抛光异形工件待抛光面对应的平均面积、平均目标抛光厚度、平均目标抛光粗糙度,a1、a2、a3分别表示为设定的抛光面积、抛光厚度、抛光粗糙度对应的占比权重因子;
所述对各待抛光面对应的抛光难度进行解析,具体解析过程包括以下步骤:
获取当前待抛光异形工件各待抛光面对应的相对位置,若某待抛光面对应的相对位置为外部,则将该待抛光面对应相对位置的抛光难度权重因子设置为η1,若某待抛光面对应的相对位置为边角,则将该待抛光面对应相对位置的抛光难度因子设置为η2,若某待抛光面对应的相对位置为内部,则将该待抛光面对应相对位置的抛光难度权重因子设置为η3,由此得到当前待抛光异形工件各待抛光面对应相对位置的抛光难度权重因子,并记为ψi,ψi取值为η1或η2或η3,其中η2>η3>η1;
将当前待抛光异形工件各待抛光面对应的规则度以及粗糙均匀度分别记为gi以及yi,由此依据分析公式 分析得到各待抛光面对应的抛光难度评估指数δi,b1、b2分别表示为设定的规则度、粗糙均匀度对应的难度评估权重因子,g′、y′分别为设定的指定六轴数控抛光机对应参考抛光规则度、抛光粗糙均匀度;
所述对当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光环境干扰指数进行解析,具体解析过程包括以下步骤:获取当前待抛光异形工件各待抛光面对应的面积和目标抛光厚度,通过计算公式Vi=i iSi*Hi‑V0 计算得出各待抛光面对应的抛光体积Vi,V0为设定的第i个待抛光面对应的误差抛光体积;
将各待抛光面对应的抛光体积与设定的各抛光体积对应的预计抛光粉尘量进行对比,得到各待抛光面对应的预计抛光粉尘量,并记为Fi;
i
获取当前待抛光异形工件各待抛光面对应的规则度,通过计算公式pi=p0+(g′‑gi)*p′i计算得出当前待抛光异形工件各待抛光面对应的预计抛光振动频率pi,p0为设定的第i个待抛光面在指定六轴数控抛光机对应参考抛光规则度下的参考振动频率,p′为设定的单位抛光规则度差对应的干扰振动频率值;
获取当前待抛光异形工件各待抛光面对应的粗糙度、抛光体积以及预计抛光时长,通过计算公式计算得出当前待抛光异形工件各待抛光面对应的预计抛光温度;
基于各待抛光面对应抛光体积对应的预计抛光粉尘量、预计抛光振动频率以及预计抛光温度,通过计算公式计算得出各待抛光面对应的抛光环境干扰指数;
所述当前待抛光异形工件各待抛光面对应的预计抛光温度具体计算公式为
wi表示为当前待抛光工件第i个
待抛光面对应的预计抛光温度,w0为设定的指定六轴数控抛光机在常规抛光作业下抛光工件对应的参考抛光温度,C′、V′、T′分别为设定的抛光工件在参考抛光温度下对应的参考抛光粗糙度、参考抛光体积以及参考抛光时长,d1、d2、d3分别为设定的抛光粗糙度、抛光体积以及抛光时长对应的占比权重因子;
所述各待抛光面对应的抛光环境干扰指数具体计算公式为
F′、p′、w′分别为设定的参考抛光粉尘量、参考振
动频率以及参考抛光温度,f1、f2、f3分别表示为设定的粉尘量、振动频率、抛光温度对应的环境干扰评估占比权重;
所述对当前待抛光异形工件对应的抛光顺序进行解析,具体解析过程包括以下步骤:基于各待抛光面对应的抛光时长干扰指数、抛光难度评估指数以及抛光环境干扰指数,依据分析公式 分析得到当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光优选指数λi,τ1、τ2、τ3分别表示为设定的抛光难度、抛光环境干扰、抛光时长干扰对应的修正系数,ζ表示为设定的抛光评估修正因子;
将当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光优选指数按照从大至小的顺序进行排序,得到当前待抛光异形工件各待抛光面对应的抛光顺序,并对各待抛光面进行抛光顺序标记。