1.一种多层封装三通带SIW平衡带通滤波器，其特征在于，包括：

第一金属层，所述第一金属层上设置有差分输入和差分输出端口，用于实现能量传输；

第一介质基板，所述第一介质基板设置在第一金属层的下表面；

第二金属层，所述第二金属层设置在第一介质基板的下表面；

第二介质基板，所述第二介质基板设置在第二金属层的下表面；

第三金属层，所述第三金属层设置在第二介质基板的下表面；

第三介质基板，所述第三介质基板设置在第三金属层的下表面；

第四金属层，所述第四金属层设置在第三介质基板的下表面；

所述第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第二介质基板、第三金属层、第三介质基板和第四金属层以多层形式、中心堆叠设置；

其中，所述第二金属层上设置有两个第一能量耦合孔，两个第一能量耦合孔关于轴线A1A2对称，两个第一能量耦合孔设置在轴线B1B2上，第一能量耦合孔实现能量从第一介质基板向第二介质基板的耦合传输；第三金属层上设置有两个第二能量耦合孔，两个第二能量耦合孔关于轴线A1A2对称，两个第二能量耦合孔设置在轴线B1B2上，第二能量耦合孔实现能量从第二介质基板向第三介质基板的耦合传输，其中，第一能量耦合孔和第二能量耦合孔均设置为矩形，且位于谐振模式的磁场最强处以实现磁耦合，其中，第一介质基板在轴线A1A2上放置有四个第一微扰金属通孔，四个第一微扰金属通孔于轴线B1B2两侧各两个排列，且它们关于轴线B1B2对称，四个第一微扰金属通孔直径为0.6mm，第一介质基板上开设有多个第一金属通孔，第一金属通孔设置在第一介质基板四周，呈矩形排列，其中，第二介质基板在轴线A1A2上放置有六个第二微扰金属通孔，六个第二微扰金属通孔于轴线B1B2两侧各三个排列，且它们关于轴线B1B2对称，六个第二微扰金属通孔直径为1.2mm，第二介质基板上开设有多个第二金属通孔，第二金属通孔设置在第二介质基板四周，呈矩形排列，其中，所述第三介质基板在轴线A1A2上放置有六个第三微扰金属通孔，六个第三微扰金属通孔于轴线B1B2两侧各三个排列，且它们关于轴线B1B2对称，六个第三微扰金属通孔直径为1.2mm，第三介质基板上开设有多个第三金属通孔，第三金属通孔设置在所述第三介质基板四周，呈矩形排列，其中，差分输入端口和差分输出端口的数量均为两个，差分输入端口和差分输出端口分别在第一金属层上轴线A1A2的两侧设置，一侧为两个差分输入端口，一侧为两个差分输出端口，同时关于第一金属层轴线B1B2对称。

2.根据权利要求1所述的多层封装三通带SIW平衡带通滤波器，其特征在于，第一能量耦合孔的孔长为3.9mm，孔宽为0.8mm；第二能量耦合孔的孔长为3.2mm，孔宽为0.8mm。

3.根据权利要求1所述的多层封装三通带SIW平衡带通滤波器，其特征在于，所述差分输入端口由差分输入馈线以及共面波导结构组成，差分输出端口由差分输出馈线以及共面波导结构组成，其中差分输入馈线用于将能量从差分输入端口传输到SIW谐振腔，差分输出馈线用于将能量从SIW谐振腔传输到差分输出端口，共面波导结构用于连接差分馈线和SIW谐振腔，以获得二者的匹配；所述差分输入馈线与所述差分输出馈线的宽度相等，且均为

1.55mm。

4.根据权利要求1所述的多层封装三通带SIW平衡带通滤波器，其特征在于，第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板的材料均为Rogers 5880基板；其中，所述第一介质基板、所述第二介质基板、所述第三介质基板的相对介电常数均为2.2，第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板的厚度均为0.508mm。