1.一种集成电路三极管，包括三极管组件(1)，其特征在于：所述三极管组件(1)包括底座组件(3)，所述底座组件(3)顶部外壁上卡接有芯体组件(2)，所述底座组件(3)包括底座(15)，所述底座(15)顶部外壁上一体成型有凸起环(16)，且凸起环(16)两侧外壁上均开设有安置槽(19)，所述安置槽(19)底部内壁上一体成型有弹性片(21)，且弹性片(21)一侧外壁靠近顶部处一体成型有卡块(22)，所述弹性片(21)一侧外壁与安置槽(19)一侧内壁之间通过螺栓安装有两个弹簧(20)。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路三极管，其特征在于，所述底座(15)底部内壁上插接有三个呈等距离结构分布的插接件(18)，且插接件(18)底部外壁上一体成型有引脚(17)。

3.根据权利要求2所述的一种集成电路三极管，其特征在于，所述芯体组件(2)包括箱壳(4)，所述箱壳(4)侧面内壁靠近底部处开设有插接槽(5)，且插接槽(5)内部粘接有密封垫(6)，所述凸起环(16)插接在密封垫(6)内部。

4.根据权利要求3所述的一种集成电路三极管，其特征在于，所述箱壳(4)两侧外壁靠近底部处均开设有限位孔(8)，所述卡块(22)卡接在限位孔(8)内部。

5.根据权利要求3所述的一种集成电路三极管，其特征在于，所述箱壳(4)顶部内壁上插接有散热组件(7)，所述箱壳(4)内部插接有与散热组件(7)相互接触的芯体(9)，所述芯体(9)底端插接在底座(15)、凸起环(16)内部。

6.根据权利要求5所述的一种集成电路三极管，其特征在于，所述芯体(9)一侧外壁上开设有三个呈等距离结构分布的插接孔(10)，且插接件(18)插接在插接孔(10)内部。

7.根据权利要求5所述的一种集成电路三极管，其特征在于，所述散热组件(7)包括均热板(11)，所述均热板(11)内部填充有液氨(14)。

8.根据权利要求7所述的一种集成电路三极管，其特征在于，所述均热板(11)顶部外壁上焊接有壳体(12)，且壳体(12)与均热板(11)相互贯通，所述壳体(12)一侧外壁上开设有呈等距离结构分布的通孔(13)。

9.根据权利要求3所述的一种集成电路三极管，其特征在于，所述箱壳(4)包括金属层(23)，所述金属层(23)外部包裹有塑料层(24)，且其中一个塑料层(24)一侧外壁上喷涂有阻燃层(25)。

10.一种集成电路三极管测试方法，包括权利1‑9任一项所述的一种集成电路三极管，其特征在于，包括以下步骤：S1.初步准备：根据测量需求，准备好测量工具万用表及相应的三极管；

S2.开始测量：

S2.1.测量极间电阻：将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要痹秽材料三极管的极间电阻大得多；

S2.2.ICEO的数值测量：万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定；

S2.3.测量放大能力：先将万用表功能开关拨至R×100或R×1K挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数；

S2.4.判定基极、电极c和发射极e：万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b，而后再将万用表置于R×

100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些，在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。