1.一种流控振荡器ICO的振幅调试方法，其特征在于，包括以下步骤：

利用仿真软件仿真流控振荡器ICO电路，采用控制变量法，使用理想电压源供电，设置预期频率，调整单个反相器MOS管的宽长比，判断频率是否达标，如果达标求出理想电压源下输出的平均电流，否则，继续调整MOS管的宽长比，直到达标为止；

用理想电流源提供电流Iaverage给流控振荡器ICO电路的振荡器供电，判断频率是否达标，如果达标再判断振幅是否达标，否则，调整理想电流源提供电流Iaverage重测频率与振幅，如果振幅达标进入下一步骤，如果未达标调整理想电压源的供电电压，调整MOS管宽长比，得到预期频率，求出理想电压源输出的平均电流，重复本步骤，直至振幅达标；

振幅达标后，判断MOS管是否达到面积与功率约束，如果达到就结束调整，否则，加大MOS管并联个数，电流同比例扩大，直至达到面积与功率约束条件。

2.根据权利要求1所述的一种流控振荡器ICO的振幅调试方法，其特征在于，所述仿真流控振荡器ICO电路包括理想电压源VDC、振荡器，所述振荡器包括级联的三级反相器，所述反相器包括第三PMOS管MP3和第一NMOS管MN1，第四PMOS管MP4和第二NMOS管MN2，第五PMOS管MP5和第三NMOS管MN3；

所述理想电压源VDC与所述第五PMOS管MP5的源极、所述第四PMOS管MP4的源极及所述第三PMOS管MP3的源极相连，所述第三PMOS管MP3的栅极与所述第一NMOS管MN1的栅极相连，所述第三PMOS管MP3的漏极与所述第一NMOS管MN1的漏极相连，所述第一NMOS管MN1的源极接地；所述第四PMOS管MP4的栅极与所述第二NMOS管MN2的栅极相连，同时与所述第三PMOS管MP3和所述第一NMOS管MN1的漏极相连，所述第四PMOS管MP4的漏极与所述第二NMOS管MN2的漏极相连，所述第二NMOS管MN2的源极接地；所述第五PMOS管MP5的栅极与所述第三NMOS管MN3的栅极相连，同时与所述第四PMOS管MP4和所述第二NMOS管MN2的漏极相连，所述第五PMOS管MP5的漏极与所述第三NMOS管MN3的漏极相连，同时与所述第三PMOS管MP3和所述第一NMOS管MN1的栅极相连，所述第三NMOS管MN3的源极接地。

3.根据权利要求1所述的一种流控振荡器ICO的振幅调试方法，其特征在于，所述流控振荡器ICO电路包括电流镜、振荡器，所述电流镜产生电流源Isource，电流镜复制Isource电流供给振荡器，所述电流镜包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2，所述第一PMOS管MP1的栅极与所述第二PMOS管MP2的栅极相连，并与所述第一PMOS管MP1的漏极相连，所述第一PMOS管MP1的源极和第二PMOS管MP2的源极分别与VDD相连，所述第二PMOS管MP2的漏极与振荡器相连；

所述振荡器包括电容C1、级联的三级反相器，所述反相器包括第三PMOS管MP3和第一NMOS管MN1，第四PMOS管MP4和第二NMOS管MN2，第五PMOS管MP5和第三NMOS管MN3；

所述第二PMOS管MP2的漏极与所述第五PMOS管MP5的源极、所述第四PMOS管MP4的源极及所述第三PMOS管MP3的源极相连，并通过所述电容C1接地；所述第三PMOS管MP3的栅极与所述第一NMOS管MN1的栅极相连，所述第三PMOS管MP3的漏极与所述第一NMOS管MN1的漏极相连，所述第一NMOS管MN1的源极接地；所述第四PMOS管MP4的栅极与所述第二NMOS管MN2的栅极相连，同时与所述第三PMOS管MP3和所述第一NMOS管MN1的漏极相连，所述第四PMOS管MP4的漏极与所述第二NMOS管MN2的漏极相连，所述第二NMOS管MN2的源极接地；所述第五PMOS管MP5的栅极与所述第三NMOS管MN3的栅极相连，同时与所述第四PMOS管MP4和所述第二NMOS管MN2的漏极相连，所述第五PMOS管MP5的漏极与所述第三NMOS管MN3的漏极相连，同时与所述第三PMOS管MP3和所述第一NMOS管MN1的栅极相连，所述第三NMOS管MN3的源极接地。