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专利号: 2022112359791
申请人: 桂林电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-04-09
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种新型仿生减反射薄膜结构,其特征在于,包括底座(3),所述底座(3)顶部设有减反射结构(4),所述减反射结构(4)由单元微结构阵列构成,所述单元微结构包括主凸结构(1)、环状结构(2),所述主凸结构(1)位于所述环状结构(2)的中心位置,所述主凸结构(1)底部、环状结构(2)底部均设置在所述底座(3)顶部,所述主凸结构(1)与所述环状结构(2)之间存在间隙。

2.根据权利要求1所述的新型仿生减反射薄膜结构,其特征在于,所述单元微结构阵列采用密排四方排布。

3.根据权利要求1所述的新型仿生减反射薄膜结构,其特征在于,所述主凸结构(1)的横截面为圆形,纵截面为半椭圆形,所述主凸结构(1)的纵截面在高度t1处的宽度r1(t1)满足以下条件: 其中S1为主凸结构的纵截面底部宽度,L1为主凸结构的总高度。

4.根据权利要求1所述的新型仿生减反射薄膜结构,其特征在于,所述环状结构(2)的横截面为圆环,纵截面为半椭圆形,纵截面在高度t2处的宽度r2(t2)满足以下条件:其中S2为环状结构(2)的纵截面的底部宽度,L2为环状结构(2)的总

高度。

5.根据权利要求3所述的新型仿生减反射薄膜结构,其特征在于,所述主凸结构(1)的总高度L1为1.7~2.6μm,所述主凸结构(1)的纵截面的底部宽度S1为0.4~0.6μm。

6.根据权利要求5所述的新型仿生减反射薄膜结构,其特征在于,所述主凸结构(1)的总高度L1为2.3μm,所述主凸结构(1)的纵截面的底部宽度S1为0.55μm。

7.根据权利要求4所述的新型仿生减反射薄膜结构,其特征在于,所述环状结构(2)的总高度L2为1.3~1.5μm,所述环状结构(2)的纵截面的底部宽度S2为0.7~1.0μm。

8.根据权利要求7所述的新型仿生减反射薄膜结构,其特征在于,所述环状结构(2)的总高度L2为1.4μm,所述环状结构(2)的纵截面的底部宽度S2为0.875μm。

9.根据权利要求1所述的新型仿生减反射薄膜结构,其特征在于,所述单元微结构的底面宽度为3~3.5μm。

10.根据权利要求1所述的新型仿生减反射薄膜结构,其特征在于,所述底座(3)、单元微结构的材料为聚二甲基硅氧烷或二氧化硅。