1.CMOS电流复用型自振荡接收机前端，其特征在于，包括低噪声跨导放大电路和混频器，以及正交压控振荡器；

所述低噪声跨导放大电路Gm的输入端分别为Vin+和Vin‑；

所述混频器包括第一混频器和第二混频器；

所述低噪声跨导放大电路Gm的输出端V1与第一混频器的输入端Vm1和第二混频器的输入端Vm3，以及正交压控振荡器QVCO的输入端VQ1连接，所述低噪声跨导放大电路Gm的输出端V2和第一混频器的输入端Vm2，与第二混频器的输入端Vm4和正交压控振荡器QVCO的输入端VQ2连接。

2.根据权利要求1所述的CMOS电流复用型自振荡接收机前端，其特征在于，所述低噪声跨导放大电路包括NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp1、PMOS管Mp2、PMOS管Mp3、PMOS管Mp4、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C16、电容C17、电容Cntr1、电容Cntr2、电感L5、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13和电阻R14。

3.根据权利要求2所述的CMOS电流复用型自振荡接收机前端，其特征在于，所述电容C1的一端与电容C2的一端和电容C16的一端连接作为低噪声跨导放大电路的输入端Vin+，所述电容C2的另一端与NMOS管Mn1的栅端和电容Cntr1的一端和电阻R10的一端连接，所述NMOS管Mn1的源端接地，所述NMOS管Mn1的漏端与PMOS管Mp3的漏端和PMOS管Mp1的漏端与电容Cntr2的一端连接作为低噪声跨导放大电路的输出端V1，所述PMOS管Mp3的栅端与电容C1的另一端和电阻R9的一端连接，所述PMOS管Mp3的源级接电源电压VDD，所述PMOS管Mp1的栅端与电容C6的一端和电阻R11的一端连接，所述PMOS管Mp1的源端与电容C5的一端和电容C17的一端和电感L5的a端连接，所述电感L5的c端与电源电压VDD连接，所述电感L5的b端与电容C16的另一端和电容C6的另一端与PMOS管Mp2的源端连接，所述PMOS管Mp2的栅端与电容C5的另一端和电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端与电阻R11的另一端连接，所述PMOS管Mp2的漏端与电容Cntr1的另一端和PMOS管Mp4的漏端与NMOS管Mn2的漏端连接作为低噪声跨导放大电路的输出端V2，所述PMOS管Mp4的源端与电源电压VDD连接，所述PMOS管Mp4的栅端与电容C4的一端和电阻R13的一端连接，所述电容C4的另一端与电容C17的另一端和电容C3的一端连接作为低噪声跨导放大电路的输入端Vin‑，所述电容C3的另一端与NMOS管Mn2的栅端和电容的Cntr2的另一端与电阻R14的一端连接，所述NMOS管Mn2的源端接地。

4.根据权利要求1所述的CMOS电流复用型自振荡接收机前端，其特征在于，所述第一混频器的输出端分别为IFq+和IFq‑，所述第一混频器的输入端LO0通过电容C11与正交压控振荡器QVCO的输出端VQO2连接，所述第一混频器的输入端LO2通过电容C10与正交压控振荡器QVCO的输出端VQO1连接，所述第二混频器的输出端分别为IFi+和IFi‑，所述第二混频器的输入端LO3通过电容C9与正交压控振荡器QVCO的输出端VQO3连接，所述第二混频器的输入端LO1通过电容C8与正交压控振荡器QVCO的输出端VQO4连接。

5.根据权利要求1所述的CMOS电流复用型自振荡接收机前端，其特征在于，所述第一混频器、第二混频器结构均相同，包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、电容CL1、电阻RL1、电阻RL2、电阻R7和电阻R8，以及比较器Opamp。

6.根据权利要求5所述的CMOS电流复用型自振荡接收机前端，其特征在于，所述NMOS管M4的栅端与NMOS管M5的栅端和电阻R7的一端接作为混频器的输入端VLO+，所述NMOS管M4的源端与NMOS管M3的源端连接作为Vmix+，所述NMOS管M4的漏端与PMOS管M1的漏端和电阻RL1的一端和电容CL1的一端和NMOS管M6的漏端连接作为混频器的输出端IF+，所述PMOS管M1的源端与电源电压VDD连接，所述PMOS管M1的栅端与比较器Opamp的输出端和PMOS管M2的栅端连接，所述比较器Opamp的正端接基准电压vref，所述比较器Opamp的负端与电阻RL1的另一端和电阻RL2的一端连接，所述电阻RL2的另一端与PMOS管M2的漏端和电容CL1的另一端和NMOS管M3的漏端连接作为混频器的输出端IF‑，所述PMOS管M2的源端与电源电压VDD连接，所述NMOS管M3的栅端与NMOS管M6的栅端和电阻R8的一端连接作为混频器的输入端VLO‑，所述电阻R8的另一端与电阻R7的另一端连接，所述NMOS管M6的源端与NMOS管M5的源端连接作为Vmix‑。

7.根据权利要求1所述的CMOS电流复用型自振荡接收机前端，其特征在于，所述正交压控振荡器包括电感L1、电感L2、电感L3、电感L4、NMOS管Mn3、NMOS管Mn4、PMOS管Mp5、PMOS管Mp6、NMOS管Mn5、NMOS管Mn6、PMOS管M7、NMOS管M8、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C7、电容C12、电容C13、电容Cp1、电容Cp2、电容C14、电容C15、变电容Cvar1、变电容Cvar2、变电容Cvar3和变电容Cvar4。

8.根据权利要求7所述的CMOS电流复用型自振荡接收机前端，其特征在于，所述电感L4的a端接输入端VQ1，所述电感L4的b端接输入端VQ2，所述电感L4的c端与PMOS管M7的漏端和NMOS管M8的源端和NMOS管M8的漏端连接，所述NMOS管M8的栅端与电源电压VDD连接，所述PMOS管M7的栅端接偏置电压Vbp2，所述PMOS管M7的源端与电容C7的一端和电感L3的c端连接，所述电容C7的另一端接地，所述电感L3的a端与NMOS管Mn3的源端和NMOS管Mn4的源端和PMOS管Mp5的漏端和电容Cp1的一端连接，所述NMOS管Mn3的栅端与电阻R1和电容C13的一端连接，所述NMOS管Mn3的漏端与电容C12的一端和变电容Cvar1的一端和电感L1的a端连接作为正交压控振荡器的输出端Vosc+，所述电感L1的c端接电源电压VDD，所述电感L1的b端与NMOS管Mn4的漏端与电容C13的另一端和变电容Cvar2的一端连接作为正交压控振荡器的输出端Vosc‑，所述变电容Cvar2的另一端与变电容Cvar1的另一端连接，所述NMOS管Mn4的栅端与电容C12的另一端和电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与电阻R1的另一端连接，所述电感L3的b端与NMOS管Mn6的源端和NMOS管Mn5的源端和PMOS管Mp6的漏端和电容Cp2的一端连接，所述NMOS管Mn6的栅端与电阻R6和电容C14的一端连接，所述NMOS管Mn6的漏端与电容C15的一端和变电容Cvar4的一端和电感L2的b端连接作为正交压控振荡器的输出端Voscq‑，所述电感L2的c端接电源电压VDD，所述电感L2的a端连接NMOS管Mn5的漏极、电容C14的另一端、变电容Cvar3的一端，所述变电容Cvar3的另一端与变电容Cvar4的另一端连接，所述NMOS管Mn5的栅端与电容C15的另一端和电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端与电阻R6的另一端连接，所述PMOS管Mp6的栅端与电阻R4的一端和电容Cp1的另一端连接，所述PMOS管Mp6的源端与PMOS管Mp5的源端和电源电压VDD连接，所述PMOS管Mp5的栅端与电阻R3的一端和电容Cp2的另一端连接，所述电阻R3的另一端与电阻R4的另一端连接。