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专利号: 2022112110666
申请人: 浙江工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2026-08-19
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)以窗口层作为光子吸收层,增强短波光子的吸收效率;

2)调节窗口层的Al组分,获得合适的禁带宽度;

3)增加窗口层的厚度,增强短波光子在窗口层的吸收效率;

4)构造MIS太阳电池结构,即在减反射膜和窗口层之间用绝缘层隔开;

5)在减反射膜中引入固定电荷,使窗口层表面产生感应电荷,从而引起能带弯曲。

2.根据权利要求1所述的一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法,其特征在于,所述窗口层采用AlxGa1‑xAs材料,其中x=0.3‑0.4。

3.根据权利要求1所述的一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法,其特征在于,所述减反射膜采用单层介质材料薄膜或双层介质材料薄膜或光子晶体阵列结构。

4.根据权利要求1所述的一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法,其特征在于,所述在减反射膜内引入固定电荷,包括负电荷或正电荷。

5.根据权利要求1所述的一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法,其特征在于,所述窗口层为半导体窗口层。

6.根据权利要求1所述的一种提高GaAs薄膜太阳电池光电转换效率的方法,其特征在于,所述绝缘层采用Al2O3。