1.一种耐高温高压的IGBT芯片高压电流检测装置，其特征在于：所述高压电流检测装置包括检测箱（1）、承载装置（2）、引流装置（3）和检测电源（4），所述检测箱（1）和承载装置（2）连接，所述承载装置（2）和引流装置（3）连接，所述引流装置（3）和检测箱（1）紧固连接，所述检测电源（4）外框和检测箱（1）紧固连接，检测电源（4）和承载装置（2）电连接，所述检测箱（1）上设有工作腔（11），所述工作腔（11）两侧分别设有进料口和出料口，所述承载装置（2）包括输送带（21），所述输送带（21）一端依次穿过进料口、工作腔（11）和出料口，输送带（21）和工作腔（11）活动连接，所述输送带（21）外表面上设有若干载物台（22），所述载物台（22）上设有定位腔（221），所述定位腔（221）上侧开口设置，所述输送带（21）进口端设有上料机械手（5）。

2.根据权利要求1所述的一种耐高温高压的IGBT芯片高压电流检测装置，其特征在于：

所述承载装置（2）包括对中组件（23），所述检测电源（4）和对中组件（23）电连接，所述工作腔（11）上侧设有导向槽（14），所述对中组件（23）置于导向槽（14）内，对中组件（23）包括沉降电缸（231），所述沉降电缸（231）外框和导向槽（14）紧固连接，沉降电缸（231）输出端设有封顶（232），所述封顶（232）和定位腔（221）进口适配，封顶（232）下侧设有触点（233），所述引流装置（3）包括换热组件（32）和风机（33），所述检测箱（1）上设有增压室（12），所述风机（33）置于增压室（12）内，所述增压室（12）一侧设有旁通流道（13），所述风机（33）出口端和旁通流道（13）连通，所述载物台（22）上设有引流道（223），所述旁通流道（13）出口和沉降电缸（231）下端的引流道（223）连通，所述引流道（223）和定位腔（221）连通，引流道（223）进口一侧设有换热室（222），所述换热组件（32）置于换热室（222）内，换热组件（32）包括膨胀气囊（321）、磁铁芯（322）和线圈（323），所述膨胀气囊（321）置于换热室（222）靠近引流道（223）一侧，所述引流道（223）和换热室（222）连通，所述膨胀气囊（321）内设有若干向外延伸的换热板（325），所述换热板（325）远离膨胀气囊（321）一端插入引流道（223）内，所述膨胀气囊（321）远离换热板（325）一端设有顶板（324），膨胀气囊（321）通过顶板（324）和磁铁芯（322）传动连接，所述线圈（323）置于换热室（222）内，所述磁铁芯（322）轴线和线圈（323）轴线共线。

3.根据权利要求2所述的一种耐高温高压的IGBT芯片高压电流检测装置，其特征在于：

所述引流装置（3）还包括保温组件（31），所述载物台（22）上设有调节腔（224），所述换热室（222）和调节腔（224）沿引流道（223）内气体流动方向依次布置，所述保温组件（31）置于调节腔（224）内，保温组件（31）包括导热片（311）和调温电缸（313），所述导热片（311）两端分别插入调节腔（224）和引流道（223）内，所述调温电缸（313）外框和调节腔（224）紧固连接，调温电缸（313）输出端设有密封板，所述密封板外侧和调节腔（224）动密封连接，所述调节腔（224）位于密封板远离调温电缸（313）一侧充有冷却液，所述导热片（311）一侧插入冷却液中，所述线圈（323）和调温电缸（313）电连接；

降温时：所述调温电缸（313）输出端收缩，所述密封板向调温电缸（313）一侧移动。

4.根据权利要求3所述的一种耐高温高压的IGBT芯片高压电流检测装置，其特征在于：

所述保温组件（31）还包括堵板（312），所述载物台（22）上设有转槽（227），所述转槽（227）和调节腔（224）间歇连通，所述堵板（312）和转槽（227）转动连接；

初始状态下：所述调节腔（224）内充液体积大于密封板同侧空腔体积。

5.根据权利要求4所述的一种耐高温高压的IGBT芯片高压电流检测装置，其特征在于：

所述保温组件（31）还包括调节磁铁（314）和电磁铁（315），所述转槽（227）一侧设有截止槽（226），所述电磁铁（315）置于截止槽（226）内，所述堵板（312）上设有滑槽（3121），所述调节磁铁（314）和滑槽（3121）滑动连接，所述电磁铁（315）和线圈（323）电连接；

升温时：所述调温电缸（313）输出端伸出，所述密封板向远离调温电缸（313）一侧移动，所述调节磁铁（314）和电磁铁（315）相向端呈异名磁极，所述调节磁铁（314）两端分别插入滑槽（3121）和截止槽（226）内。

6.根据权利要求5所述的一种耐高温高压的IGBT芯片高压电流检测装置，其特征在于：

所述载物台（22）上设有贮液室（225），所述调节腔（224）通过转槽（227）和贮液室（225）间歇连通，所述保温组件（31）还包括浮板（316），所述浮板（316）楔形设置，浮板（316）宽度从下往上逐渐递减，所述密封板和浮板（316）间歇传动连接。

7.根据权利要求6所述的一种耐高温高压的IGBT芯片高压电流检测装置，其特征在于：

所述引流装置（3）还包括冷凝管（34），所述冷凝管（34）置于贮液室（225）内。

8.根据权利要求7所述的一种耐高温高压的IGBT芯片高压电流检测装置，其特征在于：

所述引流道（223）末端设有换热组件（32），末端所述线圈（323）和沉降电缸（231）间歇电连接。

9.根据权利要求8所述的一种耐高温高压的IGBT芯片高压电流检测装置，其特征在于：

所述堵板（312）远离转动轴线一侧弧形设置，所述转槽（227）和堵板（312）弧形面适配。