1.一种批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法，其特征在于，

采用批量写入遗忘忆阻桥构建忆阻交叉架构，所述忆阻交叉架构的输入信号包括行信号和列信号；

所述行信号用于确定选中行和非选中行，选中行和非选中行连接不同写信号，选中行上的忆阻桥上的电压高于设置阈值，非选中行上的忆阻桥的电压低于设置阈值；

根据所述列信号的占空比对选中行中的忆阻桥写入长短时记忆正负权值和零权值，对非选中行进行电路保护。

2.根据权利要求1所述的批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法，其特征在于：

设计五线谱信号作为输入信号，对所述忆阻交叉架构的长时记忆权值和短时记忆权值进行写入；

写入时，将正权值和负权值分开写入，每一个五线谱写信号包含八个时间片：正长时记忆初始化时间片，正长时记忆设置时间片，负长时记忆初始化时间片，负长时记忆设置时间片，正短时记忆初始化时间片，正短时记忆设置时间片，负短时记忆初始化时间片，负短时记忆设置时间片；

所述五线谱信号包括行五线谱写信号和列五线谱写信号；

所述行五线谱写信号为行正长时阈值Vthl、行正短时阈值Vths、行0、行负短时阈值‑Vths、行负长时阈值‑Vthl五条线；

所述列五线谱写信号为列正长时阈值Vtl、列正短时阈值Vts、列0、列负短时阈值‑Vts，列负长时阈值‑Vtl五条线；

忆阻交叉架构中每个忆阻桥在八个时间片的写信号为：在八个时间片对应的时间片内，当前忆阻桥所在行的行五线谱写信号减去当前忆阻桥所在列的列五线谱写信号，占空比以列五线谱写信号的占空比为准。

3.根据权利要求2所述的批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法，其特征在于：

所述选中行的行五线谱写信号的八个时间片对应的信号幅值分别为：Vths，Vthl，‑Vthl，‑Vthl，Vthl，Vths，‑Vths，‑Vths，Vths；非选中行的行五线谱写信号的八个时间片对应的信号幅值为：0，‑Vths，Vths，Vths，‑Vths，‑Vths，Vths，Vths，‑Vths；

所述列五线谱写信号的八个时间片按照写入长短时记忆权值分为四种，（1）长时为正权值，短时也为正权值时，八个时间片信号分别为：‑Vtl，占空比为dl的Vtl，0,0，‑Vts，占空比为ds的Vts，0,0；（2）长时为正权值，短时为负权值时，八个时间片信号分别为：‑Vtl，占空比为dl的Vtl，0,0，0,0，Vts，占空比为ds的‑Vts；（3）长时为负权值，短时为正权值，八个时间片信号为：0,0，Vtl，占空比为dl的‑Vtl，‑Vts，占空比为ds的Vts，0,0；（4）长时为负权值，短时也为负权值时，八个时间片信号为：0,0，Vtl，占空比为dl的‑Vtl，0,0，Vts，占空比为ds的‑Vts。

4.根据权利要求2所述的批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法，其特征在于，正长时记忆权值写入时，将所有忆阻桥长时记忆初始化为1；通过列五线谱写信号的占空比将选中行的忆阻桥的长时记忆写入对应阻值，完成所有选中行的长时记忆的设置，未被选中行则受到保护；

负长时记忆权值写入时，将所有忆阻器长时记忆初始化为‑1；通过列五线谱写信号的占空比将选中行忆阻桥的长时记忆写入对应阻值，完成所有选中行的长时记忆的设置，未被选中行则受到保护；

正短时记忆权值写入时，将所有忆阻器短时记忆初始化为1；通过列五线谱写信号的占空比将选中行忆阻桥的短时记忆写入对应阻值，完成所有选中行的短时记忆的设置，未被选中行则受到保护；

负短时记忆权值写入时，将所有忆阻器短时记忆初始化为‑1；通过列五线谱写信号的占空比将选中行忆阻桥的短时记忆写入对应阻值，完成所有选中行的短时记忆的设置，未被选中行则受到保护。

5.根据权利要求2或3所述的批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法，其特征在于，未选中行输入信号的幅值满足|Vtl‑Vths|<|Vths|。

6.根据权利要求2或3所述的批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法，其特征在于，所述五线谱信号还包括行五线谱读信号和列五线谱读信号，选中行的行五线谱读信号为Vths，非选中行的行五线谱读信号为0，列五线谱读信号为0，所述行五线谱读信号对应的时间片在所述八个时间片之前或者之后，所述列五线谱读信号对应的时间片在所述八个时间片之前或者之后，且所述行五线谱读信号对应的时间片与列五线谱读信号对应的时间片相同。

7.根据权利要求2所述的批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法，其特征在于，当单个忆阻器的长时记忆为固定值Roff时，短时记忆为任意值，只对正权值的短时记忆进行写入，五线谱写信号的时间片只有两个：正权值短时记忆初始化，正权值短时记忆设置。

8.根据权利要求2所述的批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法，其特征在于，当单个忆阻器的长时记忆为大于短时记忆的任意高阻值时，以始终保证长时记忆阻值高于短时记忆阻值为前提，对正权值的短时记忆和长时记忆进行写入，五线谱写信号的时间片有四个：正权值长时记忆初始化，正权值长时记忆设置，正权值短时记忆初始化，正权值短时记忆设置。

9.一种批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写系统，其特征在于，包括处理单元和存储单元，所述处理单元和存储单元通信连接，所述处理单元的控制信号输出端连接遗忘忆阻桥交叉架构的电压源控制端，所述存储单元用于存放至少一可执行指令，所述可执行指令使所述处理单元执行如权利要求1‑8任一项所述的批量写入遗忘忆阻桥交叉架构的读写方法对应的操作。