1.一种p‑n异质结光电阴极材料，其特征在于，所述光电阴极材料为层状，包括：基底层；

所述基底层上从下到上依次设置附着有Au层、Cu2O薄膜层、SnS2薄膜层和全氟磺酸聚合物薄膜层；

所述全氟磺酸聚合物薄膜层表面负载有析氢催化剂；

所述析氢催化剂为NiCoSex；，所述Au层的厚度为100～200mm；

所述Cu2O薄膜层的厚度为1.5～2.5μm；

所述基底层为ITO导电玻璃层；

所述Cu2O薄膜层中，Cu2O的微观晶体形貌为立方型晶体，所述Cu2O薄膜层整体为致密的不均匀微纳米锥阵列薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种p‑n异质结光电阴极材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基底层表面镀Au层，得到基底层基底层/Au材料；

在所述Au层表面生长Cu2O薄膜层，得到基底层基底层/Au/Cu2O材料；

在所述Cu2O薄膜层表面负载SnS2薄膜层，得到基底层/Au/Cu2O/SnS2材料；

在所述SnS2薄膜层表面旋涂负载有析氢催化剂NiCoSex的全氟磺酸聚合物薄膜层，得到所述p‑n异质结光电阴极材料。

3.根据权利要求2所述的一种p‑n异质结光电阴极材料的制备方法，其特征在于，在所述Au层表面生长Cu2O薄膜层的方法包括：以镀有所述Au层的基底层为工作电极，将所述工作电极浸没在电解液中，以高纯碳棒为对电极，以Hg/HgO为参比电极，通过电沉积在所述Au层表面生长所述Cu2O薄膜层，得到所述基底层/Au/Cu2O材料。

4.根据权利要求3所述的一种p‑n异质结光电阴极材料的制备方法，其特征在于，所述电沉积条件为：2

电沉积电流密度为‑0.1～‑0.2mA/cm，电沉积时间为1‑6小时，电沉积温度为30～50℃；

电沉积电解液的组成成分至少包括：五水合硫酸铜0.8～1.2mol/L，乳酸钠0.4～

0.6mol/L，曲拉通X‑1000.08～0.12mol/L；

所述电沉积电解液中还包括表面活性剂，所述表面活性剂的加入量为所述电沉积电解液体积的0.8～1.2％；

所述表面活性剂为聚乙二醇PEG‑200；

所述电沉积电解液的pH为11～12；

所述电沉积电解液的中还包括pH调节剂，所述pH调节剂为碱性物质；

所述碱性物质选自NaOH、KOH中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的一种p‑n异质结光电阴极材料的制备方法，其特征在于，在所述Cu2O薄膜层表面负载SnS2薄膜层的方法包括：将SnS2纳米颗粒研磨，超声分散在溶剂A中，得到浸渍液，所述溶剂A中加入有曲拉通X‑

100，

利用浸渍提拉法将基底层/Au/Cu2O材料在所述浸渍液中浸渍，在所述Cu2O薄膜层表面负载SnS2薄膜层，负载完成后干燥，得到所述基底层/Au/Cu2O/SnS2材料。

6.根据权利要求5所述的一种p‑n异质结光电阴极材料的制备方法，其特征在于，所述浸渍液中，所述曲拉通X‑100的体积为所述溶剂A体积的1～2％；所述SnS2纳米颗粒与所述溶剂A的质量体积比为1:2～3；

所述溶剂A选自乙醇、异丙醇中的至少一种；

所述浸渍提拉法条件为：浸渍时间为30‑120s，提拉次数为5‑20次，每次间隔时间为250～350s；

所述干燥条件为：干燥温度为35～45℃，干燥时间为5～7小时。

7.根据权利要求2所述的一种p‑n异质结光电阴极材料的制备方法，其特征在于，在所述SnS2薄膜层表面旋涂负载有析氢催化剂NiCoSex的全氟磺酸聚合物薄膜层的方法包括：将含有NiCoSex的溶液和含有Nafion的溶液混合，得到Nafion与NiCoSex混合液，将所述Nafion与NiCoSex混合液超声分散后，旋涂在所述基底层/Au/Cu2O/SnS2材料的SnS2薄膜层表面，干燥，得到所述p‑n异质结光电阴极材料。

8.根据权利要求7所述的一种p‑n异质结光电阴极材料的制备方法，其特征在于，所述含有NiCoSex的溶液中还包括溶剂B，所述溶剂B为水与异丙醇的混合物，所述水与所述异丙醇的体积比为4～2：1；

所述含有NiCoSex的溶液中NiCoSex与所述异丙醇的质量比为1:200～400，所述含有Nafion的溶液中Nafion的质量分数为5％，所述含有Nafion的溶液与所述异丙醇的体积比为0.05:1。

9.根据权利要求7所述的一种p‑n异质结光电阴极材料的制备方法，其特征在于，所述干燥条件为：干燥温度为35～45℃，干燥时间为1～3小时。