1.一种自旋太赫兹高效发射器，其特征在于：包括衬底，所述衬底的一侧依次堆叠有一维周期性光子晶体、二氧化硅插层和自旋太赫兹源；所述一维周期性光子晶体由多个一维光子晶体基元层叠组成，所述一维光子晶体基元包括氮化硅层和二氧化硅层；

所述自旋太赫兹源包括磁性层和非磁性层，所述磁性层和非磁性层构成异质结构；所述磁性层的材料为具有磁性的金属；所述非磁性层的材料为非磁性金属。

2.根据权利要求1所述的自旋太赫兹高效发射器，其特征在于：所述衬底为石英衬底。

3.根据权利要求1所述的自旋太赫兹高效发射器，其特征在于：所述一维光子晶体基元的数量为10‑15个。

4.根据权利要求1所述的自旋太赫兹高效发射器，其特征在于：所述磁性层为钴层；所述非磁性层为铂层。

5.根据权利要求4所述的自旋太赫兹高效发射器，其特征在于：所述钴层和铂层的厚度相同。