1.一种纳米铝热剂的制备方法，其特征在于，包括：将纳米铝粉和纳米钛粉分散于有机溶剂中，随后加入CuBi2O4纳米片，超声，静置后去除上层溶液并保留底部沉淀，将底部沉淀真空干燥，得到Al‑Ti/CuBi2O4纳米铝热剂粉体；

所述CuBi2O4纳米片的制备方法包括以下步骤：步骤一、将硝酸和水混合后加入Bi(NO3)3·5H2O并搅拌，得到硝酸铋溶液；将硝酸铋溶液与硫酸铜溶液混合搅拌得到Bi‑Cu混合溶液；

步骤二、将六次甲基四胺和十六烷基三甲基溴化铵分散到水中得到分散液；

步骤三、将Bi‑Cu混合溶液与分散液混合搅拌均匀并转移至内衬为聚四氟乙烯的反应釜中，150 170 ℃反应12 16h；用蒸馏水和乙醇洗涤数次，然后在60 ℃真空烘箱中干燥12 ~ ~h，得到样品；将样品在马弗炉中400~500℃煅烧1.5~2.5 h，得到CuBi2O4纳米片；

所述步骤一中，硝酸的浓度为68 75wt%；所述硝酸和水的体积比为3:15 20；所述Bi~ ~(NO3)3·5H2O与水的质量体积比为1~1.5g:30~35mL；所述硫酸铜溶液的配制方法为：将Cu(NO3)2·3H2O加入到水中使其溶解，得到硫酸铜溶液，所述Cu(NO3)2·3H2O与水的质量体积比为0.3~0.5g：15~25mL；所述硝酸铋溶液中的Bi(NO3)3·5H2O与硫酸铜溶液中的Cu(NO3)

2·3H2O的质量比为1 1.5:0.3 0.5；

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所述步骤二中，六次甲基四胺与十六烷基三甲基溴化铵的质量比为35 45:1；所述六次~甲基四胺与水的质量体积为1g:4 6mL；

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所述六次甲基四胺与硝酸铋溶液中的Bi(NO3)3·5H2O的质量比为1~2:1。

2.如权利要求1所述的纳米铝热剂的制备方法，其特征在于，所述纳米铝粉和纳米钛粉的摩尔比为4:1；所述纳米铝粉与CuBi2O4纳米片的质量比为1:7~9；所述有机溶剂为正己烷；

所述纳米铝粉与有机溶剂的质量体积比为1g:30 40mL。

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3.如权利要求1所述的纳米铝热剂的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为正己烷；

所述超声的时间为0.5 1.5h；所述超声的功率为200 300W，频率为50 60kHz。

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4.如权利要求1所述的纳米铝热剂的制备方法，其特征在于，所述静置的时间为5~

10min；真空干燥的温度为50 70℃，时间为12h。

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5.如权利要求1所述的纳米铝热剂的制备方法，其特征在于，所述纳米铝粉的粒径为

50nm；纳米钛粉的粒径为60nm。

6.一种如权利要求1 5任一项所述的制备方法制备的纳米铝热剂制备微自毁芯片的方~法，其特征在于，包括：

步骤A：将Al‑Ti/CuBi2O4纳米铝热剂粉体分散在乙醇中并超声处理，得到Al‑Ti/CuBi2O4纳米铝热剂悬浮液；将硝化棉溶于乙酸乙酯中得到硝化棉溶液；

步骤B：将Al‑Ti/CuBi2O4纳米铝热剂悬浮液真空抽滤在聚四氟乙烯滤膜上，待其表面干燥后加入硝化棉溶液直至溶液完全抽滤干净；取出PTFE滤膜真空干燥，得到Al‑Ti/CuBi2O4含能薄膜；

步骤C：将硝化棉溶于乙酸乙酯中得到硝化棉溶液；在半导体桥桥区部位滴加硝化棉溶液，将Al‑Ti/CuBi2O4含能薄膜附着在半导体桥桥区顶端，真空烘干，得到Al‑Ti/CuBi2O4微自毁芯片。

7.如权利要求6所述的制备方法制备的纳米铝热剂制备微自毁芯片的方法，其特征在于，所述步骤A中，所述硝化棉溶液的浓度为0.5 1.5mg/mL；

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所述步骤B中，真空干燥的温度为50 70℃，时间为10 14小时；

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所述步骤C中，硝化棉溶液的浓度为8 12mg/mL；在半导体桥桥区顶端附着的Al‑Ti/~CuBi2O4含能薄膜与半导体桥桥区部位滴加的硝化棉溶液的质量体积比为1mg:1~3μLl；真空干燥的温度为50 70℃，时间为0.5 1.5小时。

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