1.一种MoS2/石墨烯/Mxene复合薄膜，其特征在于，所述薄膜以MoS2和石墨烯为薄膜主体，以石墨烯和Mxene为薄膜涂层，薄膜的厚度为100~150μm；所述MoS2/石墨烯/Mxene复合薄膜的制备方法包括以下步骤：（1）正丁基锂的锂元素作为插层剂在正己烷溶液中与块状MoS2进行反应，在高纯氩气气氛中进行超声处理，充分混合后，再加入预先除氧的超纯水继续超声，得剥离后的MoS2纳米片，将MoS2纳米片依次用无水乙醇、超纯水进行离心，去除上层清液，保留底部产物，重复离心步骤，即得单层MoS2纳米片；

（2）取石墨烯和步骤（1）制得的单层MoS2纳米片分别置于无水乙醇中超声分散，再混合继续超声，充分混合后，加入高分子聚合物，继续搅拌，充分混合后得单层MoS2纳米片与石墨烯的混合液；

（3）将步骤（2）制得的混合液作为电纺丝液，进行静电纺丝，所得纤维薄膜经真空干燥后，再在氮气气氛的管式炉中进行热处理，即得MoS2/石墨烯复合薄膜；

（4）取石墨烯和Mxene的悬浮液混合后超声，得石墨烯/Mxene前驱体溶液，采用高压静电喷涂法将石墨烯/Mxene前驱体溶液喷涂于MoS2/石墨烯复合薄膜表面，经紫外光照射还原处理，即得MoS2/石墨烯/Mxene复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述石墨烯为氧化石墨烯。

3.一种权利要求1所述的MoS2/石墨烯/Mxene复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）正丁基锂的锂元素作为插层剂在正己烷溶液中与块状MoS2进行反应，在高纯氩气气氛中进行超声处理，充分混合后，再加入预先除氧的超纯水继续超声，得剥离后的MoS2纳米片，将MoS2纳米片依次用无水乙醇、超纯水进行离心，去除上层清液，保留底部产物，重复离心步骤，即得单层MoS2纳米片；

（2）取石墨烯和步骤（1）制得的单层MoS2纳米片分别置于无水乙醇中超声分散，再混合继续超声，充分混合后，加入高分子聚合物，继续搅拌，充分混合后得单层MoS2纳米片与石墨烯的混合液；

（3）将步骤（2）制得的混合液作为电纺丝液，进行静电纺丝，所得纤维薄膜经真空干燥后，再在氮气气氛的管式炉中进行热处理，即得MoS2/石墨烯复合薄膜；

（4）取石墨烯和Mxene的悬浮液混合后超声，得石墨烯/Mxene前驱体溶液，采用高压静电喷涂法将石墨烯/Mxene前驱体溶液喷涂于MoS2/石墨烯复合薄膜表面，经紫外光照射还原处理，即得MoS2/石墨烯/Mxene复合薄膜。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，石墨烯与单层MoS2纳米片的质量比为1:1 2。

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5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，高分子聚合物为PVP、PAN或PHBV中的一种或多种。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，高分子聚合物与单层MoS2纳米片质量比为3~8:1。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于， 所述步骤（3）中，静电纺丝的工艺参数为：电压为10 20kV，注射器针头喷嘴口径为0.8 1.5mm，喷嘴到接受屏的固化距离为10~ ~ ~

20cm，室内温度为15 25℃，相对湿度为20 40%。

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8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，纤维在氮气气氛的管式炉中进行热处理的温度为500 700℃，保温时间为5 8h。

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9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，石墨烯与Mxene的质量比为1 2:1。

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10.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，高压静电喷涂的工艺参数为：针头直径为0.8 1.5mm，电压为10 15kV，针头与接收器距离为5 12cm，喷涂流速~ ~ ~

0.2 0.5mL/min，喷涂时间为3 5h。

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