1.一种掺杂聚吡咯3D集流体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将十六烷基三甲基溴化铵溶解至酸溶液中，得到混合物A；

将所述混合物A与过硫酸铵混合均匀，得到混合物B；

将所述混合物B与吡咯混合均匀后静置反应，随后依次经洗涤、干燥得到掺杂聚吡咯3D材料；

将所述掺杂聚吡咯3D材料、导电剂、粘结剂混合制成浆料，随后涂覆在基材表面，干燥后得到掺杂聚吡咯3D集流体；其中，所述酸溶液为硫酸溶液、磷酸溶液中的至少一种；

‑ 1

所述酸溶液的浓度为0.5mol L  ，所述十六烷基三甲基溴化铵与酸溶液的用量比为

1g：（15 18）mL；

~

所述十六烷基三甲基溴化铵、过硫酸铵与吡咯的用量比为（0.4 0.5）g：（0.8 0.9）g：~ ~

1mL；

混合过程的温度为0 3 ℃；所述静置反应的温度为0 10 ℃，所述静置反应的时间为10~ ~

30h。

~

2.根据权利要求1所述掺杂聚吡咯3D集流体的制备方法，其特征在于，所述掺杂聚吡咯

3D材料、导电剂、粘结剂的质量比为1：（0.05 0.2）：（0.05 0.2）。

~ ~

3.根据权利要求1所述掺杂聚吡咯3D集流体的制备方法，其特征在于，所述基材为铜。

4.一种掺杂聚吡咯3D集流体，其特征在于，所述掺杂聚吡咯3D集流体通过权利要求1 3~中任一项所述掺杂聚吡咯3D集流体的制备方法得到。

5.一种如权利要求4所述掺杂聚吡咯3D集流体的应用，其特征在于，所述掺杂聚吡咯3D集流体应用于以锂金属为负极的电池体系。

6.根据权利要求5所述掺杂聚吡咯3D集流体的应用，其特征在于，所述负极为锂复合掺杂聚吡咯3D集流体。