1.一种掺硼金刚石微电极在头皮脑电信号采集中的应用，其特征在于，将掺硼金刚石微电极固定在目标位置，加入少量生理盐水后，打开脑电信号直接采集，所述掺硼金刚石微电极的制备方法包括以下步骤：

1）将基片于金刚石微纳粉末悬浮液中超声60 80 min，清洗，干燥，得到成核后基片，其~中，所述金刚石微纳粉末悬浮液为金刚石微纳粉末和溶剂的混合物，金刚石微纳粉末悬浮液中金刚石微纳粉末的浓度为1 3 mg/mL，所述基片为平面螺旋状的钽条，所述钽条的宽度~为0.65 1.8 mm；

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2）在所述成核后基片上生长掺硼金刚石薄膜，按质量百分计，所述掺硼金刚石薄膜由

96 97％的碳、1.3 1.7％的硼和剩余的氧组成。

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2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，在所述步骤1）中，平面螺旋状的宽度为10~

12 mm；钽条的厚度为0.08 0.17 mm。

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3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，在所述步骤1）中，溶剂为丙酮和无水乙醇的混合物，按体积份数计，溶剂中丙酮和无水乙醇的比为1 :（1  1.2）。

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4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，在所述步骤1）中，所述清洗为：先后依次于无水乙醇和超纯水中各超声5 8 min。

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5.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，在所述步骤1）中，所述干燥为用烘烤灯烘烤。

6.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，在所述步骤1）中，所述基片在使用前进行打磨和清洗，所述清洗为先后依次于超纯水、无水乙醇和超纯水中各超声至少5 min。

7.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，在所述步骤2）中，所述掺硼金刚石薄膜的厚度为15 17 μm。

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8.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，在所述步骤2）中，采用电子辅助热丝化学气相沉积方法在所述成核后基片上生长掺硼金刚石薄膜，所述电子辅助热丝化学气相沉积方法的步骤为：将成核后基片放置于反应腔室内，向反应腔室内持续通入氢气和甲烷，向反应腔室内持续输入硼源，对成核后基片施加偏压同时使反应腔室于800 900 ℃保持6 8小~ ~时，其中，施加偏压电源的电流为8  9 A，施加偏压电源的电压为185 190 V。

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9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，向反应腔室内通入氢气和甲烷的流量比为

325:（6 8）。

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10.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，硼源为硼酸三甲酯，硼源采用载气带入至所述反应腔室内，具体方法为：将硼源和无水乙醇混合，得到混合液体，将载气输入至所述混合液体后从所述混合液体鼓泡排出，将鼓泡排出的气体输入至所述反应腔室内，混合液体中硼源和无水乙醇的比为1:（3 3.2）。

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11.根据权利要求10所述的应用，其特征在于，将所述氢气分成两部分：直接通入反应腔室的氢气和作为所述载气使用的氢气，直接通入反应腔室的氢气和作为载气使用的氢气的流量比为300:（20 30）。

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12.根据权利要求10所述的应用，其特征在于，所述反应腔室内的气压为4.9  5.1 ~kPa。