1.一种法拉第异质结阵列电极的制备方法，其特征在于，所述方法利用强相互作用的静电自组装和晶格匹配策略，以导电基底为基，将光活性材料生长于所述导电基底形成光活性材料纳米棒阵列电极，将法拉第材料生长于所述光活性材料纳米棒阵列电极上，制得法拉第异质结阵列电极；所述法拉第异质结阵列电极包括两种及以上的纳米材料组装形成的共轴且垂直分布的异质结阵列结构；

所述方法具体包括以下步骤：

对导电基底进行预处理；

分别配制光活性材料前驱体溶液以及法拉第材料溶液；

将导电基底置于所述光活性材料前驱体溶液中，依次经过水热处理和煅烧处理，得到光活性材料并使所述光活性材料生长在所述导电基底上，形成光活性材料纳米棒阵列电极；

将所述光活性材料纳米棒阵列电极置于所述法拉第材料溶液中，经过水热处理或者电沉积处理，得到法拉第材料并使所述法拉第材料生长在所述光活性材料纳米棒阵列电极上，制得法拉第异质结阵列电极；

所述光活性材料为α晶型氧化铁、二氧化钛、钒酸铋、氧化亚铜或三氧化钨；

所述法拉第材料为含有铜基、镍基、锰基、铅基的氧化物以及含有铜基、镍基、锰基、铅基的氢氧化物中的一种或者两种。

2.根据权利要求1所述的法拉第异质结阵列电极的制备方法，其特征在于，所述分别配制光活性材料前驱体溶液以及法拉第材料溶液，具体包括：在使用到的法拉第材料的种类不止一种的情况下，分别配制每种法拉第材料对应的法拉第材料溶液。

3.根据权利要求1所述的法拉第异质结阵列电极的制备方法，其特征在于，所述对导电基底进行预处理，具体包括：依次用甲苯、丙酮、乙醇和去离子水超声清洗导电基底，并对清洗后的所述导电基底进行干燥处理。

4.根据权利要求1所述的法拉第异质结阵列电极的制备方法，其特征在于，所述导电基底为掺杂氟的二氧化锡透明导电玻璃、氧化铟锡镀膜透明导电玻璃、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃、碳布或泡沫镍。

5.一种法拉第异质结阵列电极，其特征在于，如权利要求1至4中任一项所述的法拉第异质结阵列电极的制备方法所制得的法拉第异质结阵列电极。

6.一种光可充电电池，其特征在于，包括对电极，以及如权利要求5所述的法拉第异质结阵列电极，以所述法拉第异质结阵列电极和对电极作为电池的正负极，并在所述对电极和法拉第异质结阵列电极之间设置有导电介质；其中，所述对电极为碳布或铂片。