1.一种冷喷涂系统，其特征在于包括有：

辅助装置(1)，该辅助装置(1)具有：

内涵道(11)，内部具有上下贯通的通道；

外涵道(12)，套设在内涵道(11)的外周，且外涵道(12)的侧周壁与内涵道(11)的侧周壁间隔相对，两者之间形成供气流通过的环形间隙(10)，该环形间隙(10)的顶部闭合并连接有与环形间隙(10)相连通的送气管(13)，该环形间隙(10)的底部为开口(100)向下的敞开结构；

在光照下能伸缩的伸缩件(14)，至少择一地设于上述内涵道(11)或外涵道(12)之侧周壁的下部，用于趋使伸缩件(14)所在的侧周壁发生弯曲形变而改变上述环形间隙(10)底部开口(100)的朝向和大小；

所述冷喷涂系统还包括有：

光控装置(2)，设于上述辅助装置(1)的下方，具有能向上发射光线的第一发光件(21)以及用于控制第一发光件(21)工作的第一控制电路。

2.根据权利要求1所述的冷喷涂系统，其特征在于：所述伸缩件(14)有两个，分别为第一伸缩件(14a)、第二伸缩件(14b)，所述第一伸缩件(14a)设于内涵道(11)之侧周壁的下部，所述第二伸缩件(14b)设于外涵道(12)之侧周壁的下部。

3.根据权利要求2所述的冷喷涂系统，其特征在于：所述第一伸缩件(14a)呈水平设置的环状体，且第一伸缩件(14a)的外圈藏于内涵道(11)之侧周壁，内圈露于内涵道(11)之侧周壁的内侧；所述第二伸缩件(14b)呈水平设置的环状体，且第二伸缩件(14b)的内圈藏于外涵道(12)之侧周壁，外圈露于外涵道(12)之侧周壁的外侧。

4.根据权利要求3所述的冷喷涂系统，其特征在于：所述第一伸缩件(14a)包括有第一压电陶瓷环(141)、设于第一压电陶瓷环(141)的内圈之上并掺杂有磷元素的单晶硅一(142)、设于第一压电陶瓷环(141)的内圈之下并掺杂有硼元素的单晶硅二(143)；所述第二伸缩件(14b)包括有第二压电陶瓷环(144)、设于第二压电陶瓷环(144)的外圈之上并掺杂有磷元素的单晶硅三(145)、设于第二压电陶瓷环(144)的外圈之下并掺杂有硼元素的单晶硅四(146)。

5.根据权利要求4所述的冷喷涂系统，其特征在于：所述单晶硅一(142)、单晶硅二(143)均为环状体，且单晶硅二(143)的下方设有环形的能向上发射光线的第二发光件(15)，该第二发光件(15)电连接有用于控制第二发光件(15)工作的第二控制电路；

所述光控装置(2)的第一发光件(21)被布置成能集中向上述单晶硅四(146)发射光线。

6.根据权利要求5所述的冷喷涂系统，其特征在于：所述单晶硅三(145)、单晶硅四(146)均为环状体，且单晶硅四(146)的外圈水平向外延伸。

7.根据权利要求6所述的冷喷涂系统，其特征在于：所述光控装置(2)包括有顶壁带有敞口(200)的壳体(20)，该壳体(20)的中央设有用于支撑待喷涂基体的基台(22)，基台(22)顶部的台面(221)位于上述敞口(200)的下方，上述内、外涵道的底部伸入敞口(200)内，且环形间隙(10)的开口(100)与上述基台(22)的台面(221)相对；

所述第一发光件(21)围绕基台(22)设于壳体(20)上部的空间内，且壳体(20)内设有环形的导光通道(23)，该导光通道(23)下端的环形入口(231)与上述第一发光件(21)相对，上端的环形出口(232)位于外涵道(12)的外围，并与上述单晶硅四(146)相对。

8.根据权利要求7所述的冷喷涂系统，其特征在于：所述光控装置(2)还包括有环状的聚光透镜(24)，该聚光透镜(24)设于导光通道(23)内，且聚光透镜(24)的断面呈具有向上述环形入口(231)凸出的第一圆弧面(241)、与第一圆弧面(241)相对并向上述环形出口(232)凸出的第二圆弧面(242)的结构。

9.根据权利要求8所述的冷喷涂系统，其特征在于：所述第一发光件(21)包括有若干个LED集群，若干个LED集群沿周向布置在上述基台(22)的外围，每个LED集群中具有多个LED灯单元；

所述第一控制电路包括有若干个第一模块，第一模块的数量与LED集群的数量相匹配，用于控制各自对应的LED集群的工作；

所述第一控制电路还包括有用于控制各个第一模块的控制模块。

10.根据权利要求9所述的冷喷涂系统，其特征在于：所述控制模块包括有用于控制每个第一模块、以调节每个LED集群的发光强度的第二模块，该第二模块与第一模块电连接；

所述控制模块还包括有用于控制每个第一模块、以调节每个LED集群的亮灭的第三模块，所述第三模块与第一模块电连接；

所述控制模块还包括有用于控制第二、第三模块的控制器，该控制器与上述第二、第三模块电连接。