1.一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底（101）、AlN成核层（102）、AlN缓冲层（103）、非掺杂AlGaN缓冲层（104）、n型AlGaN层（105）、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区（106）、AlpInqGa1‑p‑qN插入层（107）和p型AlGaN层（108），所述p型AlGaN层（108）上引出p型欧姆电极（109），所述n型AlGaN层（105）上引出n型欧姆电极（110），所述AlpInqGa1‑p‑qN插入层（107）插在AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区（106）最后一层AlyGa1‑yN量子垒的中间。

2.如权利要求1所述的一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管，其特征在于：所述衬底（101）为极性、半极性或非极性取向的蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化镓或氮化铝。

3.如权利要求1所述的一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管，其特征在于：所述AlN成核层（102）的厚度为15‑50 nm，AlN缓冲层（103）的厚度为50‑500 nm，非掺杂AlGaN缓冲层（104）的厚度为500‑2000 nm，n型AlGaN层（105）的厚度为200‑5000 nm，AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区（106）的AlxGa1‑xN量子阱的阱宽为1‑10 nm，AlyGa1‑yN量子垒的垒厚为4‑30 nm，周期数为3‑50，p型AlGaN层（108）的厚度为50‑500 nm，其中Al组分关系满足x

4.如权利要求1所述的一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管，其特征在于：所述AlpInqGa1‑p‑qN插入层（107）的厚度为1‑10nm。

5.如权利要求1所述的一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管，其特征在于：所述AlpInqGa1‑p‑qN插入层（107）的禁带宽度大于AlyGa1‑yN量子垒的禁带宽度。

6.如权利要求1所述的一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管，其特征在于：所述AlpInqGa1‑p‑qN插入层（107）的晶格常数和AlyGa1‑yN量子垒的晶格常数相同。

7.如权利要求1所述的一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管，其特征在于：所述p型欧姆电极（109）和n型欧姆电极（110）的材料为Ni、Al、Au或Ti中的一种金属或由以上多种金属构成的合金材料。