1.一种单级多端口Buck‑Boost逆变电路，其特征在于，包括分别连接有单独直流源的第一耦合电感电路和第二耦合电感电路，所述第二耦合电感电路连接有三项逆变单元和滤波器；

所述第一耦合电感电路与第二耦合电感电路之间通过第一耦合电感器电感耦合连接，所述第二耦合电感电路包括第二耦合电感器。

2.根据权利要求1所述一种单级多端口Buck‑Boost逆变电路，其特征在于，所述第一耦合电感器包括电感N11、电感N12和电感N13；所述第二耦合电感器包括并联的电感N21、电感N22和电感N23；

所述电感N13位于第二耦合电感电路，且与电感N11和电感N12电感耦合连接。

3.根据权利要求2所述一种单级多端口Buck‑Boost逆变电路，其特征在于，所述第一耦合电感器和第二耦合电感器的耦合电感器的匝数比为：a2＝N12/N11，a3＝N13/N11，a'2＝N22/N21，a'3＝N23/N21。

4.根据权利要求2所述一种单级多端口Buck‑Boost逆变电路，其特征在于，所述第一耦合电感电路包括直流源Vi1，所述直流源Vi1正极连接有电感L1的一端，电感L1的另一端分别连接有电容C1正极和二极管D1正极，所述二极管D1负极连接电感N12的一端，电感N12的另一端分别连接电容C2负极、电感N11一端和电感L3一端，所述电容C1负极、电感L3另一端依次连接电感N11且接入开关管S1集电极，所述开关管S1的发射极依次连接电容C2的正极和直流源Vi1的负极。

5.根据权利要求4所述一种单级多端口Buck‑Boost逆变电路，其特征在于，所述第二耦合电感电路包括直流源Vi2，所述直流源Vi2正极连接有电感L2的一端，电感L2另一端分别连接有电容C3正极和二极管D2正极，所述二极管D2负极连接电感N23的一端，电感N23的另一端分别连接有电感L4的一端、电感N21的一端和电感N22的一端，所述电感L4的另一端连接电感N13的一端，所述电感N22另一端连接电容C4负极，所述电感N22另一端连接电容C5的正极；

所述电容C3负极依次连接电感L4与电感N13的连接线和电感N21和电容C5的连接线；所述电感N13另一端连接有二极管D3的正极；

二极管D3负极和电容C5负极连接并接入三项逆变单元一端，三项逆变单元另一端分别连接电容C4正极和直流源Vi2的负极。

6.根据权利要求5所述一种单级多端口Buck‑Boost逆变电路，其特征在于，所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4和电容C5均采用电解电容。

7.根据权利要求5所述一种单级多端口Buck‑Boost逆变电路，其特征在于，所述三相逆变单元包括开关管Si1、开关管Si2、开关管Si3、开关管Si4、开关管Si5和开关管Si6；

所述开关管Si1发射极连接开关管Si2集电极，且开关管Si1和开关管Si2的连接线上设置有第一相输出端；所述开关管Si3发射极连接开关管Si4集电极，且开关管Si3和开关管Si4的连接线上设置有第二相输出端；开关管Si5发射极连接开关管Si6集电极，且开关管Si5和开关管Si6的连接线上设置有第三相输出端；

所述电容C5的负极分别连接开关管Si1、开关管Si3和开关管Si5的发射极，所述电容C4的正极分别连接开关管Si2、开关管Si4和开关管Si6的发射极；

所述第一相输出端、第二相输出端和第三相输出端接入滤波器的输入端，所述滤波器输出端连接有三相负载。

8.根据权利要求7所述一种单级多端口Buck‑Boost逆变电路，其特征在于，所述开关管Si1、开关管Si2、开关管Si3、开关管Si4、开关管Si5和开关管Si6均采用IGBT开关管。

9.一种单级多端口Buck‑Boost逆变电路的转换方法，其特征在于，基于权利要求1‑8所述任意项一种单级多端口Buck‑Boost逆变电路，包括以下步骤：模式一：开关管S1开通，三项逆变单元短路时，二极管D3和三相逆变单元中的至少一个桥臂开通；二极管D1和二极管D2关断；

模式2：开关管S1开通，三相逆变单元非短路时，二极管D2和二极管D3开通；二极管D1关断；

模式3：开关管S1断开，三相逆变单元短路时，二极管D1和三相逆变单元至少一个桥臂导通；二极管D2和二极管D3关断；

模式4：开关管S1断开，三相逆变单元非短路时，二极管D1和二极管D2开通；二极管D3关断。

10.根据权利要求9所述一种单级多端口Buck‑Boost逆变电路的转换方法，其特征在于，若开关管S1开通，二极管D1关断，则电感L1、电感L3和电容C5开始充电，电容C1和C2开始放电；

若开关管S1关断时，二极管D1开通，则电感L1、电感L3和电容C5开始放电，电容C1和C2开始充电。