1.一种确定铸态立方晶系单晶体三维晶体取向的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)切割单晶体

对于任意形状的单晶体，选取任意方向切割出一个截面1，得到标定试样1，对截面1进行磨制和抛光处理，并进行微观腐蚀，在所述截面1上得到一次枝晶和二次枝晶；

(2)在截面1上做与一次枝晶平行的标记线1

在截面1上划线做为标记线1，标记线1平行于截面1中任意一条二次枝晶的方向；

(3)垂直截面1切割标定试样1

垂直截面1且平行于标记线1对标定试样1进行切割，得到截面2和标定试样2，对截面2进行磨制和抛光处理，并进行微观腐蚀，在所述截面2上得到一次枝晶和二次枝晶；

(4)在截面2上做与一次枝晶平行的标记线2

在截面2上划线做为标记线2，标记线2平行于截面2中任意一条一次枝晶的方向；

(5)垂直截面2切割标定试样2

垂直截面2且平行标定线2对标定试样2进行切割，得到截面3和标定试样3，对截面3进行磨制和抛光处理，并进行微观腐蚀，在所述截面3上得到一次枝晶和二次枝晶；

(6)在截面3上标定晶体取向

在截面3上划线作<001>方向标记线，并使该<001>方向标记线平行于一次枝晶方向，所述<001>方向标记线的方向即为单晶<001>方向，在截面3上继续划线作一次枝晶方向的垂线，所述垂线为<100>方向标记线或<010>方向标记线；所述<100>方向标记线的方向即为单晶<100>方向，所述<010>方向标记线的方向即为单晶<010>方向。

2.根据权利要求1所述的确定铸态立方晶系单晶体三维晶体取向的方法，其特征在于，一次枝晶和二次枝晶能够全部互换。

3.根据权利要求1所述的确定铸态立方晶系单晶体三维晶体取向的方法，其特征在于，所述微观腐蚀采用的腐蚀剂为CuSO4、HCl和H2O组成的混合物，腐蚀时间为10‑30秒。

4.根据权利要求3所述的确定铸态立方晶系单晶体三维晶体取向的方法，其特征在于，CuSO4、HCl和H2O的配比为3～5g:10‑30ml：10‑30H2O ml。