1.一种双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，包括从内到外依次套接的内瓷座(3)、挡弧罩(2)和外瓷座(1)；内瓷座(3)和外瓷座(1)下部分别呈渐缩结构和减扩结构，并形成挡弧空间；挡弧罩(2)包括夹合于外瓷座(1)与内瓷座(3)之间的挡弧罩筒体(21)和连接于挡弧罩筒体(21)下端的罩体(25)；罩体(25)设置于挡弧空间内，用于隔挡分合闸电弧。

2.根据权利要求1所述的双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，内瓷座(3)和外瓷座(1)上部均呈圆筒状结构，且内瓷座(3)的壁厚和外瓷座(1)的壁厚分别一致。

3.根据权利要求1所述的双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，挡弧罩(2)上端内壁设有定位条(22)，内瓷座(3)外壁上开设有对定位条(22)卡合定位的限位槽。

4.根据权利要求1所述的双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，挡弧罩筒体(21)上部开设有若干开口向上的卸荷槽(23)。

5.根据权利要求4所述的双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，挡弧罩筒体(21)上开设有与卸荷槽(23)底部连通的圆形通孔(24)，通孔(24)直径大于卸荷槽(23)宽度。

6.根据权利要求1所述的双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，罩体(25)截面呈开口向下的半圆形。

7.根据权利要求1所述的双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，外瓷座(1)和内瓷座(3)之间通过钎焊连接固定。

8.一种双断口真空断路器，其特征在于，包括进端导电杆(4)、导流铜套(11)、出端铜座(14)、动导杆(15)和权利要求1‑7任一项所述的双断口真空灭弧室瓷座结构；进端导电杆(4)贯穿设置于内瓷座(3)中部，且其下端连接设有内触头(7)；导流铜套(11)贴合设置于外瓷座(1)底部，且其上端内侧连接设有外触头(8)；内触头(7)与外触头(8)之间留有间隙；出端铜座(14)与导流铜套(11)下端连接安装，动导杆(15)滑动贯穿出端铜座(14)中部，且其上端设有能够连接内触头(7)与外触头(8)的辅助触头(9)；导流铜套(11)、外瓷座(1)和进端导电杆(4)外部密封设有固封树脂层(5)。

9.根据权利要求8所述的双断口真空断路器，其特征在于，外瓷座(1)外侧面覆有固封硅胶层(6)。

10.根据权利要求8所述的双断口真空断路器，其特征在于，动导杆(15)上端通过瓷块(12)安装有对辅助触头(9)定位安装的安装架；安装架与瓷块(12)之间设有屏蔽罩(10)；动导杆(15)上部套设有对动导杆(15)具有向上支撑力的波纹管(13)。